NCP349 內(nèi)部低R的正過壓保護電路
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:具有內(nèi)部低R的正過壓保護控制器
如果檢測到錯誤的輸入操作條件,NCP349能夠斷開系統(tǒng)與輸出引腳的連接。該系統(tǒng)具有高達+28 V的正過壓保護。
由于該器件使用內(nèi)部NMOS,因此不需要外部器件,從而降低了系統(tǒng)成本和應(yīng)用板的PCB面積。
NCP349能夠由于集成的低R on 功率NMOS(65mΩ,如果輸入電壓超過過壓閾值(OVLO)或欠壓閾值(UVLO)),瞬間斷開輸入與輸入的連接。
上電時(EN(BAR)引腳=低電平),在<中的V 超過欠壓閾值后,V out 接通。
NCP349提供負向標志(FLAG(BAR))輸出,警告系統(tǒng)發(fā)生故障。
此外,當使用1.0μF或更大的電容旁路時,器件具有ESD保護輸入(15 kV空氣)。
特性 |
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- On-芯片低R
DS(on) NMOS晶體管:65 m |
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- 符合IEC61000-4-2(4級),8.0 kV(接觸)和15 kV(空氣)
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應(yīng)用 |
- 手機,相機,數(shù)碼相機,PDA和MP3播放器
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電路圖、引腳圖和封裝圖
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