--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 ≥-40℃,≤85℃
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---






為你推薦
-
MC96FT162D(T) ABOV(韓國(guó)現(xiàn)代)單片機(jī) 封裝SOP-24 規(guī)格書 現(xiàn)貨2023-09-08 16:44
產(chǎn)品型號(hào):MC96FT162D(T) 工作電壓:3.3V 工作溫度:≥0℃,≤85℃ 封裝:SOP-24 應(yīng)用場(chǎng)景:家電 -
FT6436U-B 敦泰FOCALTECH 封裝 QFN32 觸控IC 規(guī)格書 現(xiàn)貨庫(kù)存2023-09-08 16:29
產(chǎn)品型號(hào):FT6436U-B 工作溫度:≥-40℃,≤85℃ -
PD020065EP-G 碳化硅二極管SiC Diode SK TO-220-2L 650V 8A 車載2023-09-08 15:08
產(chǎn)品型號(hào):PM130N120LH-G 品牌:SK PowerTech 封裝:TO-247 應(yīng)用:開關(guān)電源/太陽(yáng)能逆變器/DC-DC轉(zhuǎn)換器/電池充電器/電機(jī)驅(qū) -
MBB500TX7B HITACHI/日立 B-3 IPM模塊 變頻空調(diào) 電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器2023-09-08 14:19
產(chǎn)品型號(hào):MBB500TX7B 品牌:HITACHI 封裝:B-3 應(yīng)用:變頻空調(diào),辦公電器,醫(yī)療儀器,通訊電源,逆變焊機(jī),電動(dòng)汽車驅(qū) -
ATGH40N120F2DR TRINNO/特瑞諾 IGBT 封裝 TO-247-3L 功率器件2023-09-08 10:21
產(chǎn)品型號(hào):ATGH40N120F2DR 品牌:特瑞諾 封裝:TO-247-3L 應(yīng)用:PTC加熱器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、壓縮機(jī)、汽車
-
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理2025-04-25 11:39
近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì),具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗,適用于太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電以及高效服務(wù)器電源等高性能電力電子應(yīng)用。SemiQ此次發(fā)布的SiCMOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),相比前代產(chǎn)品,芯片尺寸更小 -
浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略2025-04-25 11:34
-
韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口銳減23.5%,貿(mào)易逆差現(xiàn)象引發(fā)關(guān)注2025-04-24 11:33
根據(jù)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示,今年第一季度,韓國(guó)對(duì)華出口總額達(dá)288億美元,其中半導(dǎo)體出口額為137.3億美元,占對(duì)華出口總額的47%。然而,令人關(guān)注的是,韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢(shì)引發(fā)了廣泛的關(guān)注,也暴露出中韓貿(mào)易關(guān)系中的新動(dòng)向。對(duì)于半導(dǎo)體出口的顯著下降,分析人士指出,主要有兩個(gè)方面的原因。首先,125瀏覽量 -
合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用2025-04-24 11:32
合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力,被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能,適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價(jià)值電子工業(yè)主要采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結(jié)構(gòu)排列的分子結(jié)構(gòu),賦予了無(wú)與倫比的強(qiáng)度與硬度。核心特性包括:·寬光譜透光性·超高導(dǎo)熱率·寬電子帶隙·優(yōu)異抗熱震 -
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)2025-04-23 11:36
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升,開啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)?176瀏覽量 -
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì):硅與GaN器件的比較分析2025-04-22 11:35
通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍,減少了體積和重量,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS,我們?cè)O(shè)定了一個(gè)目標(biāo),即設(shè)計(jì)出改進(jìn)版的2kVI車輛逆變器。在開發(fā)過(guò)程中,我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關(guān)型E-HEMTGaN器件的性能。本 -
上汽英飛凌無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 投資3.1億元提升產(chǎn)能!2025-04-21 11:57
近日,上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣,計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司,旨在進(jìn)一步提升其生產(chǎn)能力,以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。隨著全球汽車行業(yè)的快速發(fā)展,尤其是電動(dòng)汽車和智能汽車的崛起,對(duì)功率半導(dǎo)體的需求顯著增加。功率半導(dǎo)體是電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的重要組成部153瀏覽量 -
霍爾效應(yīng)電流傳感技術(shù):開環(huán)與閉環(huán)系統(tǒng)的比較與應(yīng)用2025-04-21 11:56
電流傳感器廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。常見(jiàn)的技術(shù)是電阻式電流傳感,即測(cè)量分流電阻上的電壓降來(lái)確定未知電流?;诜至麟娮璧慕鉀Q方案不提供電氣隔離,并且在測(cè)量大電流時(shí)功率效率較低。另一種廣泛使用的技術(shù)基于霍爾效應(yīng)?;魻栃?yīng)電流傳感器由于其傳感器與待測(cè)電流之間的電氣隔離,提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中,我們將了解霍爾91瀏覽量 -
臺(tái)積電2025年第一季度財(cái)報(bào)出爐:營(yíng)收利潤(rùn)略有下滑但同比大幅增長(zhǎng)2025-04-18 11:48
在剛剛結(jié)束的法說(shuō)會(huì)上,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電公布了2025年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。盡管該季度的營(yíng)收和利潤(rùn)環(huán)比略有下滑,但同比數(shù)據(jù)則顯示出顯著的增長(zhǎng),整體表現(xiàn)符合市場(chǎng)預(yù)期。根據(jù)臺(tái)積電的財(cái)報(bào),第一季度的總營(yíng)收和利潤(rùn)較上一季度有所下降,這是由于市場(chǎng)需求的季節(jié)性波動(dòng)和全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響。然而,與2024年第一季度相比,營(yíng)收和利潤(rùn)均有大幅度提升,這表明公司在整體 -
浮思特 | 肖特基二極管如何在手機(jī)系統(tǒng)中提高射頻功率測(cè)量的準(zhǔn)確性與效率?2025-04-18 11:46
電流和電壓確實(shí)很重要,但功率給我們提供了更完整和更有用的射頻(RF)信息,原因有幾個(gè)。功率提供了一種更直接和方便的方式來(lái)表征射頻系統(tǒng)的性能、評(píng)估信號(hào)強(qiáng)度、優(yōu)化能量傳輸、確保安全以及分析系統(tǒng)性能。在大多數(shù)射頻應(yīng)用中,功率測(cè)量通常比高頻電流或電壓測(cè)量更相關(guān)且更易于準(zhǔn)確獲取。與其他射頻儀器相比,功率計(jì)在射頻功率測(cè)量中提供了最高的準(zhǔn)確性。這些儀器可以是專用的獨(dú)立設(shè)備86瀏覽量