資料介紹
晶體半導體材料以其獨特的物理力學性能,在眾多的技術應用中得到了廣泛的應用。晶體半導體材料的溝道深度隨劃痕載荷的增加而增加,而劃痕速度對溝道深度的影響不顯著。與壓痕過程不同的是,表面被劃痕載荷剪切,導致塑性流動和劃痕邊緣的“脊”在10-40 mN范圍內。當劃痕載荷達到60mn時,在表面邊緣觀察到裂紋并擴展到自由表面,甚至由于脆性斷裂而導致材料的去除。同時,Si和Ge單晶的彈塑性變形臨界載荷分別為2.24mn和2.26mn。最初的Si-I轉變為β-Si,然后轉變為Si XII(R8)和體心立方(BC8),最后在刮擦過程中恢復為sixii結構。微碎片和斷裂碎片表明,劃痕實驗中發生了脆性斷裂和剪切斷裂。為了獲得較好的晶體半導體材料表面質量,應將刻劃載荷控制在40mn以下,刻劃速度控制在4μm/s左右。
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