50多年前硅（Si）集成電路的發明意義重大，為我們當前所享受的現代計算機和電子產品時代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現在存在疑問的是，硅在半導體行業的霸主地位將何時終結？據摩爾定律預測，一個芯片上集成的晶體管數量大約每兩年翻一番。對于傳統的硅計算來說，摩爾定律不可能無限期持續，主要因為封裝如此大量晶體管而導致的散熱問題，以及工藝持續縮放而帶來泄漏問題。同樣，在功率電子領域，為滿足市場需求，使用硅的新器件年復一年地實現更大的功率密度和能效，已經越來越成為一個巨大的挑戰。從本質上講，芯片的演進已經接近其基礎物理極限。根據一些專家的說法，留給我們榨取硅潛能的時間只有不到十年了，到時將迎來其理論極限。在計算方面，仍采用了諸多努力，如納米技術和三維芯片，來延長硅的摩爾定律周期，盡管目前已經有了后硅時代的其它選擇：分子計算和量子計算。在功率半導體方面，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），兩者都是寬帶隙（WBG）半導體，已經成為進步有些放緩的高功高溫硅細分市場的首選方案。以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁帶半導體是繼硅和砷化鎵（GaAs）之后的第三代半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、大功率、抗輻射微波毫米波器件和短波長光電半導體器件。寬禁帶半導體是新一代雷達、通信、電子對抗系統最關鍵的半導體器件，也是新一代半導體照明關鍵的器件。因為具備比硅高出約10倍的傳導和開關特性，WBG材料是功率電子的最佳選擇，可以生成更小、更快、更高效的器件，相對于硅器件，這種WGB器件承受的電壓和溫度都更高。這些特性，連同更好的耐用性和更高的可靠性一起，促使WBG功率器件成為當前重要新興應用的關鍵助燃劑，如混動汽車、電動汽車以及可再生能源發電和存儲。WBG功率器件還可以提升現有應用表現，特別是在效率增益方面。Yole Developpment研究估計，采用SiC或者GaN取代硅可將DC-DC的轉換效率從85%增加到95%;將AC到DC的轉換效率從85%提高至90%;并將DC到AC轉換效率從96%優化到99%。