光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

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光刻膠技術(shù)

光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具，它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對光學(xué)器件小型化的需求日益增長。因此，以超表面和衍射光學(xué)元件為代表的平面透鏡技術(shù)由于其...

2025-02-06 標(biāo)簽：光刻膠光學(xué)器件光學(xué)元件 134 0

晶圓級封裝技術(shù)詳解：五大工藝鑄就輝煌！

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位...

2025-01-07 標(biāo)簽：晶圓封裝光刻膠 429 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻膠 460 0

刻蝕工藝評價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝

在本篇文章中，我們主要介紹刻蝕工藝評價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。一、刻蝕工藝質(zhì)量評價(jià) 1）刻蝕速率刻蝕速率是指在蝕刻過程中被去...

2024-11-15 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕工藝 803 0

一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場前景展望

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求...

2024-11-11 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)光刻膠 753 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過程中暴露于OH離子時(shí)，硅表面可能會變得粗糙。

2024-11-05 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 421 0

光刻膠的使用過程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。

2024-10-31 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻膠 580 0

雙層膠工藝是什么

隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比，提高對比度，應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了雙層光刻膠技術(shù)，這...

2024-10-21 標(biāo)簽：芯片工藝光刻膠 583 0

微型晶體管怎么做出來的

微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...

2024-10-15 標(biāo)簽：晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 451 0

光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的原因

光刻膠是一種有機(jī)化合物，它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化，而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。

2024-04-30 標(biāo)簽：光刻膠 867 0

一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。

2024-04-24 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 3184 0

用于2.5D與3D封裝的TSV工藝流程是什么？有哪些需要注意的問題？

上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。

2024-04-17 標(biāo)簽：CMP TSV 光刻膠 1852 0

半導(dǎo)體晶圓的制造流程

在自然界中，獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

2024-04-16 標(biāo)簽：光伏電池光刻膠晶圓制造 1006 0

請問3D NAND如何進(jìn)行臺階刻蝕呢？

在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

2024-04-01 標(biāo)簽：NAND 光刻膠 1028 0

SU-8光刻膠起源、曝光、特性

在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在...

2024-03-31 標(biāo)簽：光刻膠 4491 0

XeF2和SF6可以相互替換嗎？XeF2和SF6對硅腐蝕的區(qū)別？

我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體，那么XeF2和...

2024-03-21 標(biāo)簽：光刻膠 1111 0

芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片制造 3074 0

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留...

2024-03-20 標(biāo)簽：電子束光刻膠 2828 0

探討三種超構(gòu)器件表面的加工方法

超構(gòu)表面是近年來出現(xiàn)一種新型的光學(xué)器件，也被稱為超構(gòu)器件。

2024-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器光刻膠 955 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

2024-03-18 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻 2669 0

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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
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TMS320F28335

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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。

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光刻膠

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