勻膠速度影響光刻膠的哪些性質？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？

2023-12-15 標簽：晶圓光刻光刻膠 2843 0

聊聊芯片設計、流片那些事

晶圓廠每年都會有固定的幾次MPW機會，叫Shuttle （班車），到點即發車，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個規則，MPW按SEAT來鎖定面積...

2023-10-10 標簽：MPW芯片設計光刻 2747 0

電子束技術的原理與應用概覽

電子束技術在半導體制造行業一直是重要的應用技術。本文就電子束技術作一個簡單的圖文介紹。

2024-04-30 標簽：光刻電子束半導體制造 2698 0

綜述：聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設計的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻印（SPL）和噴墨打印；第二類需要在模板或預圖案化基材...

2023-06-21 標簽：傳感器光刻噴墨打印 2564 0

了解衍射的來源和含義

本文從來源和含義以及計算光刻方面講了衍射的來源。

2024-01-19 標簽：衍射光源光刻 2329 0

光刻中使用的掩模對準器曝光模式

本Inseto知識庫文檔介紹了光刻中使用的掩模對準器曝光模式。

2022-07-21 標簽：曝光模式光刻晶片 2319 0

助力高級光刻技術：存儲和運輸EUV掩模面臨的挑戰

隨著半導體行業持續突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術的運用逐漸擴展到大規模生產環境中。對于 7 納米及更小的高級節點，EUV 光刻...

2019-07-03 標簽：半導體光刻EUV 2314 0

電子束加工與離子束加工工藝比較

電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學家斯特格瓦發明了第一臺電子束加工設備。它是一種利用...

2023-12-07 標簽：控制系統光刻電子束 2296 0

光刻各環節對應的不同模型種類

光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經過優化的光源，通過光刻...

2023-12-11 標簽：晶圓光刻機器學習 2278 0

Bumping工藝流程工作原理 光刻工藝原理和流程

Bumping工藝是一種先進的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響Bumping...

2023-10-23 標簽：超聲波光刻封裝工藝 2269 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標簽：光刻蝕刻晶片 2237 0

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復雜的設備中的競爭要求。

2023-07-10 標簽：內存光刻機器學習 2184 0

光刻技術的種類介紹

根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所...

2023-04-25 標簽：光刻半導體器件光刻膠 2177 0

SPM光刻工藝的研究報告

在這篇文章中，我們華林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。

2022-02-08 標簽：電極光刻光刻機 2150 0

光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程

2023-04-25 標簽：半導體光刻光刻工藝 2149 0

半導體光刻的基礎知識

光刻是在基板表面形成復雜設計或結構的過程。光刻技術已經作為一種制造技術使用了數百年。它最初是為印刷機開發的，現在已經成功了作為一種被稱為光刻的微細制造技...

2022-07-21 標簽：半導體制造技術光刻 2077 0