半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導體晶圓光刻 2069 0

光刻掩膜技術介紹

?? 光刻掩膜簡介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡稱“mask”，是半導體制造過程中用于圖案轉移的關鍵工...

2025-01-02 標簽：半導體光刻掩膜 2038 0

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數...

2024-03-08 標簽：芯片制造光刻光刻機 1906 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質量

隨著工藝節點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數十萬到上億，呈指數級增長，同時生產掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標簽：探測器晶圓光刻 1872 0

解析光刻芯片掩模的核心作用與設計

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏...

2024-01-18 標簽：印刷電路板芯片制造光刻 1858 0

光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學保護作用。

2024-01-04 標簽：光刻EUV芯片制程 1854 0

微氣泡對光刻膠層的影響

關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標簽：半導體光刻晶片 1776 0

壓印光刻技術是什么 它是如何工作的

壓印光刻是許多新興應用的關鍵技術，例如微光學、增強現實、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?

2022-07-25 標簽：傳感器工藝光刻 1761 0

玻璃通孔技術研究進展

聚焦放電主要包括兩個步驟：1) 將玻璃放在兩個電極之間，通過控制放電對玻璃局部區域進行放電熔融；2)通過焦耳熱使玻璃內部產生高應力，引起內部高壓和介電擊穿。

2024-04-26 標簽：等離子光刻顯微鏡 1749 0

昂圖科技的極大尺寸照射場高分辨率光刻系統克服了FOPLP圖形形變挑戰

異構集成技術集成了多個來自不同制程與功能各異的芯片來達到更優越的效能。在大尺寸的面板級封裝中，現存的步進式曝光機有著最大單一照射場（Exposure F...

2023-04-23 標簽：芯片封裝分辨率 1637 0

半導體光刻的工藝過程（1）

集成電路(IC)的制造需要在半導體(例如，硅)襯底上執行的各種物理和化學過程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導體摻雜。導...

2022-08-25 標簽：集成電路半導體工藝 1574 0

深度解析多層互連的過孔設計

交錯的孔會引入寄生電阻和寄生電容，除非是設計本來就有的，否則寄生效應會對電路性能構成不利的影響，會增加后仿真中調整參數的工作量。

2023-12-14 標簽：集成電路電容cpu 1571 0

計算光刻技術有多重要？計算光刻如何改變2nm芯片制造？

光刻是在晶圓上創建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。

2023-04-25 標簽：gpu芯片制造光刻 1562 0

極紫外 (EUVL) 光刻設備技術應用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數被調整以產生大...

2023-09-25 標簽：濾波器激光器光刻 1557 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進的光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術。

2023-06-06 標簽：半導體晶圓光刻 1534 0

PCB上的死銅對電路性能的影響

在PCB的制造和設計過程中，可能會出現一種叫做"死銅"的問題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對電路性能的影響以及解決方法。

2023-06-05 標簽：電路pcbPCB設計 1510 0