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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...
晶閘管,也稱為可硅控整流器(SCR),是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于交流電路中的電壓和功率控制。
2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 2111 0
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類...
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推...
2024-07-21 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 2056 0
SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場調(diào)查報(bào)告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。
2020-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2052 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2036 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出PQFN 4mm x ...
2018-11-13 標(biāo)簽:封裝IR功率半導(dǎo)體 2030 0
車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動(dòng)車內(nèi)的零部件,它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電,給整車高壓動(dòng)力電池充電。
2023-09-21 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2002 0
9月15日,華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器方面取得重要進(jìn)展。
電動(dòng)汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 1997 0
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外,由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫,因而成為...
2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 1982 0
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1951 0
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
由三個(gè)端子組成的器件,可通過控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1924 0
要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗,功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
2012-07-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體sic器件SKiN技術(shù) 1880 0
功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹...
2024-01-09 標(biāo)簽:PN開關(guān)控制功率半導(dǎo)體 1868 0
功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來,無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電,甚至各種電池提供的化學(xué)電能,將是人類消耗的最重要能源。但是75%...
2012-07-23 標(biāo)簽:Sic功率半導(dǎo)體IGBT技術(shù) 1852 0
車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道,也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1772 0
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