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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率器件熱設計基礎(三)——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本...
功率半導體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導體器件,結合了絕緣柵場效應晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導體有多少了解呢?今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手,全面了解半導體的“前世今生”。
1940年貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時,發現硅存在PN結效應,1958年美國通用電氣(GE)公司研發出世界上第一個工業用普通晶閘管,標志著電力電子技...
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