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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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旺宏第3季進入任天堂拉貨旺季,但今年旺季表現的成長幅度低于市場預期。法人表示,旺宏下半年高階NOR Flash及SLC NAND仍供不應求,但低階NOR...
中國第一座12英寸車規級功率半導體自動化晶圓制造中心項目正式簽約落戶臨港新片區
聞天下董事長、聞泰科技董事長張學政介紹了聞泰科技收購安世半導體的基本情況以及未來的發展規劃。張學政表示,聞天下作為聞泰科技的控股股東,將持續幫助聞泰科技...
西永微電園公司在11月5日“重慶內陸開放高地建設推介會”上,分別與華潤微電子有限公司、德國博世集團簽署協議,引進華潤12寸晶圓生產線項目,與博世集團共建...
半導體模塊之間的差異,不僅僅體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同,可分為以下幾類:標準模塊,智能功率模塊(IP...
英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,國產器件同質化競爭的情況要加劇了?
電子發燒友網報道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司。晶圓直徑為300mm,...
近日,我司(以下簡稱“佳恩半導體”)收獲重大喜報,繼2021年12月完成PreA輪融資后,近日再次完成數千萬A輪融資,本輪融資由山東毅達創業投資基金合伙...
IGBT開通過程發生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導體器件,常用于電力電子領域。它具有開關速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優點,因此在各種電...
gto和普通晶閘管在關斷原理上有什么區別? GTO和普通晶閘管是兩種常見的功率半導體器件。雖然它們在一些方面有共同之處,但在關斷原理和工作方式上存在一些...
作為第三代半導體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...
Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉換
Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導體產品組合的最新產品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產品組合之前產品的最...
功率半導體將依然保持可持續進口替代空間 但仍需要半導體產業人更多的付出與努力
隨著國內汽車電子、工業電子等下游產業日漸崛起,半導體分立器件的市場需求迅速提升,迎來更廣闊的發展前景,但國內大部分分立器件產品仍依賴海外進口。日前,國產...
2019-02-20 標簽:功率半導體 3180 0
通常,額定電流超過1安培的半導體器件稱為功率半導體。它們阻斷電壓范圍從幾伏一直到上萬伏。在眾多的功率半導體器件中,功率二極管是相對簡單的一種器件,但它同...
臺基股份:功率半導體市場穩定向好,搶抓機遇,實施雙結構調整策略
4月25日,臺基股份發布2018年年度報告,公司實現營業總收入 41,810.88 萬元,同比增長 50.05%。
日本電子廠商將相繼啟動市場有望擴大的純電動汽車(EV)用半導體的增產投資。東芝將投入300億日元,將有助于純電動汽車節能化的電力控制用半導體的產能增加5成。
東微半導體擬A股IPO 近日,江蘇監管局披露了蘇州東微半導體股份有限公司(以下簡稱:東微半導體)輔導備案信息。其保薦機構為中金公司,已于2020年12月...
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