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標簽 > 功率級
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設備自身產生的與輸入信號無關的無規(guī)則信號。
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設備自身產生的與輸入信號無關的無規(guī)則信號。
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數據手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
UC2879 增強型雙極相移全橋控制器,具有可選的 UVLO數據手冊
UC3879 通過對一個半橋相對于另一個半橋的開關進行相移來控制橋式功率級。這允許恒定頻率脈寬調制與諧振、零電壓開關相結合,以實現(xiàn)高效率性能。UC387...
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級數據手冊
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Analog Devices / Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC數據手冊
Analog Devices/Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC設計用于與控制器搭配使用,實現(xiàn)高密度多相穩(wěn)壓器。這些IC...
Texas Instruments LMG3100EVM-089評估模塊數據手冊
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本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析,包括器件設計、封裝技術、制造工藝、成本和價格預估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅動器的半橋氮化鎵場效應晶...
飛兆半導體開發(fā)出功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS
為了幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn),飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
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