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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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雙向瞬態抑制二極管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護電子設備免受電壓瞬變...
雙向二極管和單向二極管是兩種不同類型的半導體器件,它們在電子電路中有著廣泛的應用。 工作原理 單向二極管,又稱為整流二極管,其工作原理基于PN結的特性。...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFE...
瞬態抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護電子設備免受電壓瞬變影響的半導體器件。它能夠快速響應...
集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術在多種技術應用中的替代品,是一個不斷增長的市場,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節約方面有很大的反響。...
隨著半導體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發展,其發熱量急劇增大,熱失效已經成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問題。
晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發射極之間的...
雙向可控硅(Triac)是一種四層三端半導體器件,它結合了兩個反向并聯的晶閘管(SCR)的特性,因此可以在正向和反向電壓下導通。雙向可控硅廣泛應用于交流...
二極管是一種半導體器件,它允許電流在一個方向上流動,而在另一個方向上阻止電流流動。二極管的耐壓值是指二極管能夠承受的最大電壓,而不會損壞。這個值通常是指...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。在IGBT的應用過程中,VCE(集...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應用于電力電子領域的半導...
3D晶圓級封裝,包括CIS發射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術,它起...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
微變等效電路和小信號等效電路是電子電路分析中兩種不同的分析方法,它們在電路設計和分析中有著廣泛的應用。本文將詳細介紹這兩種電路分析方法的區別,包括它們的...
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