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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)...
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 546 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 305 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊,通過外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 330 0
用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評(píng)估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級(jí),帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 345 0
在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大...
2025-02-14 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管OD 439 0
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8391 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 609 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 871 0
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互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管點(diǎn)火和只用一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管點(diǎn)火與PWM的區(qū)別?
標(biāo)簽:PWM場(chǎng)效應(yīng)晶體管 264 1
LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道 151 0
LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:ESD場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道 111 0
LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:ESD場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道 70 0
TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 78 0
LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 51 0
LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-05 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道 81 0
LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 72 0
LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 59 0
LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 59 0
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型立即下載
類別:電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia 74 0
一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 375 0
一、電子開關(guān)的基本原理 電子開關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些開關(guān)...
2024-12-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開關(guān) 674 0
IEDM2024:TSMC關(guān)于未來整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
在技術(shù)推動(dòng)下,半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限,實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G/6G、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...
2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能 1222 0
射頻放大器信號(hào)處理方法 射頻放大器在信號(hào)處理中扮演著至關(guān)重要的角色,其處理方法涉及多個(gè)層面,以確保信號(hào)的有效放大和傳輸。以下是一些關(guān)鍵的射頻放大器信號(hào)處...
2024-12-13 標(biāo)簽:帶寬場(chǎng)效應(yīng)晶體管射頻放大器 975 0
安森美宣布將收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)
安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...
2024-12-13 標(biāo)簽:安森美場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 691 0
晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(B...
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1608 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1380 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSF...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8525 0
MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬 1615 0
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