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晶圓

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晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術

離子注入工藝之退火處理

高溫爐廣泛用于進行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。

2023-05-22 標簽：晶圓 RTP 6055 0

引線鍵合(WB)—將芯片裝配到PCB上的方法

結(jié)束前工序的每一個晶圓上，都連接著500~1200個芯片(也可稱作Die)。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后，...

2023-03-13 標簽：芯片 pcb 晶圓 6027 0

GF周一向全球員工宣布，將進行全球裁員

Fab 8也有幾十個工作，它試圖填補，因為它增加了7納米芯片在工廠，全球鑄造廠正在擴大到未使用的部分，其潔凈室。該公司還考慮在未來的Fab 8網(wǎng)站上建造...

2018-06-13 標簽：芯片半導體晶圓 5947 0

介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。

2024-01-26 標簽：晶圓 IC封裝 CMP 5915 0

解決裸硅圓片上金屬污染的互補性測量技術解析

作者：Lamoureux Violette，F(xiàn)igarols Fran?ois，Pic Nicolas，Vitrani Thomas 就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)...

2021-02-23 標簽：晶圓光譜技術 5891 0

淺談半導體制造中的光刻工藝

在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠...

2023-06-28 標簽：芯片半導體晶圓 5890 0

什么是混合鍵合？為什么要使用混合鍵合？

　要了解混合鍵合，需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式，在芯片之間提供...

2023-11-22 標簽：芯片晶圓封裝技術 5882 0

半導體晶圓測試的探針卡制作及應用

精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導熱性、高附著強度和大的載流能力。使用溫度范圍寬，可以達到-55℃～850℃，熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測試環(huán)境...

2023-05-19 標簽：晶圓半導體測試探針卡 5874 0

晶圓級封裝的工藝流程詳解

晶圓承載系統(tǒng)是指針對晶圓背面減薄進行進一步加工的系統(tǒng)，該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個步驟：首先是載片鍵合，需將被用于硅通孔封裝的晶...

2023-11-13 標簽：半導體晶圓晶圓級封裝 5842 0

wafer、die、cell是什么？它們有何關系和區(qū)別呢？

可能你偶爾會聽見硬件工程師，或者芯片設計工程師講述一些專業(yè)名詞，比如今天說的wafer、die、cell等。

2023-12-27 標簽：半導體晶圓芯片設計 5815 0

應用于自動駕駛的光學相控陣(OPA)的LiDAR系統(tǒng)

CEA-Leti為開發(fā)適用于廣泛商業(yè)應用的LiDAR系統(tǒng)邁出了關鍵的一步，它已經(jīng)開發(fā)了用于校正高通道數(shù)光學相控陣（OPA）的遺傳算法，以及能夠進行晶圓級...

2021-03-17 標簽：晶圓自動駕駛 LIDAR 5793 0

半導體集成電路和晶圓有何關系？半導體晶圓制造工藝介紹

半導體集成電路是將許多元件集成到一個芯片中以處理和存儲各種功能的電子組件。由于半導體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個相同電路而產(chǎn)生的，因此晶圓是半...

2023-01-11 標簽：集成電路晶圓晶圓制造 5788 0

晶圓劃片工藝流程及原理

通常來說，對于小芯片減薄劃片時使用UV膜，對于大芯片減薄劃片時使用藍膜，因為，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏...

2023-04-03 標簽：芯片晶圓半導體晶圓 5746 0

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標簽：半導體晶圓燒結(jié) 5745 0

集成電路銅制程常見缺陷的分析

產(chǎn)生上述缺陷的原因是種子層的親水性不好。造成親水性不好的主要原因是種子層表面被有機物玷污，當環(huán)境中的易揮發(fā)有機物增多。比如光阻揮發(fā)，油漆時溶劑揮發(fā)（有實...

2018-02-24 標簽：集成電路晶圓 5692 0

晶圓制造業(yè)到底有什么特點

晶圓的重要性不言而喻，因此我們需要對晶圓具備一定的認識。前兩篇文章中，小編對晶圓到CPU的轉(zhuǎn)換過程、晶圓和硅片的區(qū)別有所探討。為增進大家對晶圓的了解程度...

2020-12-26 標簽：芯片 CPU 晶圓 5648 0

晶圓劃片工藝的重要質(zhì)量缺陷的描述

在一個晶圓上，通常有幾百個至數(shù)千個芯片連在一起。它們之間留有80um至150um的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)（Saw Street）。

2023-07-17 標簽：激光器晶圓芯片設計 5630 0

晶圓制造的基礎知識

芯片制造主要分為5個階段：材料制備;晶體生長或晶圓制備;晶圓制造和分揀;封裝;終測。

2022-12-12 標簽：晶圓芯片制造晶圓制造 5626 0

CPU制造全過程圖解

在液體狀態(tài)的硅中加入一個籽晶，提供晶體生長的中心，通過適當?shù)臏囟瓤刂疲龑⒕w向上提升并且逐漸增大拉速，同時以一定速度繞提升軸旋轉(zhuǎn)，將硅錠控制在所需直徑內(nèi)。

2023-03-04 標簽：cpu 晶圓晶體管 5600 0

半導體制造中的等離子體刻蝕過程

從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。

2023-02-23 標簽：半導體晶圓光刻膠 5595 0

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