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源漏嵌入SiGe應變技術簡介

與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

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2024-02-02 標簽：熱敏電阻晶格冷卻系統 3133 0

先進的熱控制可確保LED使用壽命

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2024-01-29 標簽：led 模型晶格 473 0

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研究人員利用范德華（vdW）納米材料制造納米級諧振器

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金屬材料激光加工過程中的四大階段

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基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環衍生結構的自旋卡諾電子學器件設計

為了減小界面處的晶格形變，提高電子透射性能，我們基于STGNR和5-STGNR納米帶，設計了全新的自旋卡諾電子學器件。采用非平衡態格林函數結合密度泛函理...

2023-09-12 標簽：半導體石墨烯晶格 1219 0

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2023-08-22 標簽：諧振器頻譜顯微鏡 609 0

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