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InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結構,可以...
中南大學周江教授Angewandte Chemie廢富鎳正極直接升級為富鋰單晶正極的通用熔鹽法!
為了獲得進一步的認識,實時記錄晶體結構的演變對于研究單晶和富鋰產物的形成機制至關重要。圖2a顯示了在空氣氣氛中從30℃到800℃合成過程中原位x射線衍射...
本文通過FDTD Solutions建立Ⅱ類超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型,通過改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜,經由仿真結果選擇合適的膜系及...
具有極低晶格熱導率的半導體在熱電材料和熱障涂層等與熱能轉換和管理相關的應用領域非常受歡迎。雖然晶體結構和化學鍵在形成傳熱行為中起著至關重要的作用,但利用...
基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環衍生結構的自旋卡諾電子學器件設計
為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設計了全新的自旋卡諾電子學器件。采用非平衡態格林函數結合密度泛函理...
層狀鈣鈦礦La4NiLiO8中氧空位/間隙能夠有效抑制表面晶格中高活性氧釋放,從而提高了電池安全性能,緩解了超高鎳層狀氧化物正極材料LiNi0.9Co0...
結構表征揭示,在CO2的輔助下,La2CuO4鈣鈦礦氧化物中的La位點能夠從晶格中脫出溶解,誘導了晶格中Cu位點的還原和重排,最終形成富含晶界的多晶銅納...
孿晶誘導細晶強化,相互交錯的孿晶界將母晶分割成若干細小的晶粒,誘發Hall-Petch效應的同時也會阻礙位錯的運動,位錯在晶界處塞積引發應力集中又可能為...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上(ACS Nano,2021,15:16654),經過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
曹原導師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實現開關超導性
低溫傳輸測量證明了高質量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎混合室溫度為40 mK時使...
硅基復合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結構材料工藝研究
碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內可調節、光學吸收系數高、量子效率高等特點,是重要的紅外探測器應用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術的快速發展,使...
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