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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...
多數電源應用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關要求，系統設計人員必須嘗試各種方法來減少傳導和輻射發射。
氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數...
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動...
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉換器的優點，其現有數據中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構解決方案。
氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢
設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...
隨著信息技術和通信領域的不斷發展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳...
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這...
通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...
近幾十年來，電力電子設備發展迅速，主要是由于半導體開關速度越來越快，這使得設計更小的電力存儲組件（如電容器和電感）成為可能。結合更高的效率，這可以實現更...
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側和低壓側驅動信號之間的死區時間。
同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術，該技術是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉換器（電源）的解決方案。除了將高...
碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務中的應用
為了能夠滿足這些新應用程序所需必要的網絡吞吐量和可靠性，則需要運用新的技術。實現下一層級互聯互通的部分問題在于，在為同一區域內的一個量級或更多附加用戶設...
可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統、高頻與大功率之微波電子元件等商業用途。然而...
隨著半導體化合物持續發展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優點。以SiC和G...
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