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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通...
為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...
氮化鎵晶體管型號參數主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉換產品供應商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...
GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...
簡單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結構的特性。然后從消費類、工業領域以及汽車領域介紹了氮化鎵器件的應用技術情況，重點介紹了氮化鎵當前的主要應用領域...
大多數iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個缺點，包括產生離子致損...
氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是...
氮化鎵是半導體與微電子產業的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵（GaN）半導體器件產品將統治微波放大...
初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強型氮化鎵開關管直驅的高頻反激準諧振控制器，芯片內部集成氮化鎵驅動器，驅動電壓為6V，可直接驅動增...
2022-09-13 標簽：氮化鎵 2104 0
GaN 是一種優異的直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優良的光電性能、熱穩定性及化學穩定性，是制作高亮度藍綠發光二極管( LED) ...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半...
氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。正因其各方面都有著非常好的...
氮化鎵具有許多內在材料優勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢，因為其無反向恢復...
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
隨著氮化鎵技術的不斷發展，氮化鎵也應用在了很多新興領域，充電頭網此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協議，成為快充界的“卷王擔當”。下面來...
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