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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...
氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品，該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內置協議芯片和降壓轉換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用...
高效的 AC/DC 電源是電信和數據通信基礎設施發展的關鍵，因為超大規模數據中心、企業服務器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業已經達到了硅...
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生...
氮化鎵是第三代半導體的代表材料。研發之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、...
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內...
作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化...
氮化鎵是電力電子行業的熱門話題，因為它可以為電信電源等應用提供高效設計；電動汽車充電；加熱，通風和空調; 電器；和消費電源適配器。在工業應用中，氮化鎵取...
業界正在考慮使用新的半導體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發射器與接收器之間的無線電鏈路。
2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉換器，可實現單雙向工作。...
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
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