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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉換應用中實現更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優點？
在以前，很多手機充電器都會用到安規Y電容，不過用的都是插件形式的，現在情況明顯不一樣
激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統硅 (Si) 器件，具有顯著優勢。
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，這時大多數工程...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機身設計，配有固定美規插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
對于那些堅持使用經典放大器拓撲結構的人來說，他們的要求將集中在準確的音頻再現上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環境中是完全合理的，但...
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵（GaN）技術如今在電力電子行業風靡一時，這種寬禁帶半導體能夠實現非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優勢正...
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護...
如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統的探測距離
雷達已成為軍事監視、空中交通管制、太空任務和汽車安全等無數應用領域不可或缺的設備。對于設計人員來說，最具挑戰性的情況是遠程雷達，因為在這種情況下，返回信...
RF LDMOS之于早期蜂窩網絡，氮化鎵（GaN）之于現代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優勢：
我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術進步很快，已經有性能很不錯的貼片式Y電容出現，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y安規電容器，已經被大量...
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）
提高效率既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。社會需求的壓力和相關法規都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法...
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