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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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硅制造技術已經足夠成熟，可以大規模生產直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...
氮化鎵開關管是一種新型的半導體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關應用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。
在傳統的有源鉗位設計中，初級MOSFET和有源鉗位開關以互補方式進行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補模式有源鉗位”電路）。
GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...
在新能源汽車方面主要應用在DC/AC逆變器、DC/DC轉換器；3）在工業領域方面主要應用在電力配送、鐵路運輸、光伏產業、電機控制以及風電渦輪機。
了解氮化鎵 -寬帶隙半導體：為什么？ -氮化鎵與其他半導體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
充電頭網拿到了優勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統充電器不同的一點是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WB...
氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優異的光電特性和熱穩定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵...
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及...
GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關性能要優于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...
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