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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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筆記本電腦是現代人生活中必不可少的電子設備之一，而電池的續航時間則直接關系到筆記本的使用體驗。因此，選擇一款高效穩定的充電器對于延長筆記本電腦的使用時間...
華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網絡有望提供三種非常重要的功能，進而改變我們應用無線技術的方式。
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性，已成為短波長發射器（發光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。...
LED的發光過程主要包括載流子注入和復合兩個步驟。當外加電壓施加在LED的正向偏置端時，電流通過LED的正向偏置結并注入到半導體材料中。
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...
半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業的發展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。
GaN產業鏈按環節分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設計、器件制造、封測以及應用。各個環節國內均有企業涉足,如在射頻...
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵...
工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...
雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據模擬，夾斷發生在-112V左右。將其放在一位數范圍內需要縮小...
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電...
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統硅（Si）技術快了二十倍，并且能夠實現高出三倍的功率，用于尖端快...
隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新換代，產品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效，提高功率密度水平，延長電池續航時...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導...
Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區別。本文章將介紹這些區別，內容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
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