一文解讀DC/DC轉換器的熱管理及熱分析

系統級熱設計對于DC / DC轉換器的電氣規格同樣重要。越來越多的分布式電源架構（DPA）使用增加了熱設計的復雜性。

2021-01-20 標簽：熱敏電阻DC-DC轉換器氮化鎵 6280 0

四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用

除了業界已經采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標簽：逆變器電池電壓氮化鎵 6253 0

意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計

VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...

2022-05-12 標簽：轉換器意法半導體氮化鎵 5909 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

　　SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元...

2023-02-12 標簽：MOSFETSiC氮化鎵 5889 0

氮化鎵當前的主要應用領域

從消費類、工業領域以及汽車領域介紹了氮化鎵器件的應用技術情況，重點介紹了氮化鎵當前的主要應用領域，消費類快充以及汽車領域的OBC。

2023-02-06 標簽：工業氮化鎵OBC 5791 0

現場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

為了擴大 GaN 在汽車、并網存儲和太陽能等新應用中的應用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...

2022-04-22 標簽：fpga氮化鎵GaN 5747 0

氮化鎵器件在D類音頻功放中的應用及優勢

本文檔介紹了D類音頻功放的典型設計，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎應用，并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設計中，相較于硅基器件所帶來的優勢。

2023-04-19 標簽：二極管晶體管氮化鎵 5679 0

什么是氮化鎵（GaN）？什么是高電子遷移率晶體管？

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應力，從而產生二維電子氣（...

2023-02-10 標簽：集成電路晶體管氮化鎵 5564 0

什么是激光雷達 如何用氮化鎵消除激光雷達

在實際的激光雷達系統中，傳統的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅動器實現提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...

2021-01-11 標簽：激光器氮化鎵adas 5488 0

采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項

介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優良的開關特性，低RDS（ON），封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...

2020-03-20 標簽：Pcb充電器氮化鎵 5143 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：

2023-10-09 標簽：晶體管SiC氮化鎵 5024 1