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漏極電流

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漏極電流技術(shù)

結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標簽：場效應管 JFET 并聯(lián)電容 1.2萬 0

增強型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當柵極與源極之間電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層出的感應電荷的多少，從而控制漏極電流大小。

2023-02-13 標簽：半導體 MOS管 MOS 8798 0

如果MOS管處于米勒平臺的區(qū)間內(nèi)，MOS管工作在哪個區(qū)？

MOS管的3種工作狀態(tài)：截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū)，這個想必大家都知道。但光知道這個還不太夠，還需要清楚進入相應工作區(qū)的充分條件。

2023-02-20 標簽：MOS管可變電阻仿真電路 5968 0

確定JFET特性的簡單電路

當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：I...

2012-07-25 標簽：jfet特性漏極電流 jfet器件 4833 0

晶體管入門基礎(chǔ)知識全面解析

基極電壓升高時，BJT的基極電流開始流動，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動。這個電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓（VBE）。

2024-03-27 標簽：二極管 MOSFET 電阻器 4594 0

mos管連續(xù)漏極電流是什么

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）的連續(xù)漏極電...

2024-09-18 標簽：半導體 MOS管晶體管 3526 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動 3403 0

MOS管米勒效應：感性負載和阻性負載差異點解析

通過AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。

2023-04-11 標簽：二極管 MOS管漏極電流 3218 1

場效應晶體管的工作原理和種類特點

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬...

2024-02-05 標簽：晶體管 MOS 場效應晶體管 2526 0

mos管源極和漏極電流相等嗎

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛使用的半導體器件，它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成：源極（S...

2024-09-18 標簽：MOS管電子電路半導體器件 2367 0

漏極電流帖子

在Data Access Component（DAC）方面需要幫助

標簽：dac 漏極電流 3166 1

僅監(jiān)測ID的OTF方法有什么優(yōu)勢？

標簽：VTH值漏極電流 1041 1

CCG5的VBUS_C_CTRL引腳預計是漏極開路輸出，但在這種情況下漏極電流有多大？

標簽：漏極開路漏極電流 VBUS 248 0

漏極電流資料下載

漏極電流資訊

增強型和耗盡型MOSFET的區(qū)別

功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應用中，它們用作開關(guān)。然而，在 SMPS 中的啟動電路、浪涌和高壓保護、反極性保護或固態(tài)繼電器等應用中，功率 MOS...

2022-09-11 標簽：MOSFET 固態(tài)繼電器柵極電壓 1.0萬 0

MO管在射頻放大器中的使用

在無線通信領(lǐng)域，射頻放大器是實現(xiàn)信號放大的關(guān)鍵組件。隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，對射頻放大器的性能要求也越來越高。MO管因其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電氣特性，在射...

2024-11-05 標簽：無線通信射頻放大器漏極電流 630 0

辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導通損耗與動態(tài)響應直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，...

2025-06-11 標簽：MOSFET 導通電阻漏極電流 116 0

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