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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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上海光機所在強場太赫茲對砷化鎵偶次諧波調控研究方面取得新進展
圖1. 強場太赫茲波的產生及物質調控信號測量裝置 (a)實驗光路;(b)泵浦光光譜;(c)太赫茲頻譜。 近期,中國科學院上海光學精密機械研究所強場激光物...
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導體材料團隊執行總監李有群對該項目做了詳細介紹。
該科研成果已于北京時間2024年3月28日以“證據表明分數量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國際頂尖學術期刊Nature上公開發表。全球的引力子研究一...
首期項目斥資15億人民幣,致力開發4/6英寸砷化鎵生產線。預計在2025年7月開始試運行,此階段主要專注于砷化鎵半導體表面發射型鐳射VCSEL產品的生產...
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數字單芯片集成電路等。
鎵和鍺是新興的戰略關鍵礦產,已被列入國家戰略性礦產名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領先地位。
衢州智造新城消息顯示,衢州先導集成電路關鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目總投資110億元,位于衢州智造新城高新片區及智造新城東港片區,總用地面積約...
砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產品說明
GS302SA-3通過磁場強度的變化,輸出等比例霍爾電勢,從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于GaAs的靈敏度比Si材料高1個數...
占據強勢地位的IDM公司,比如Qorvo和Skyworks,持續丟失中國國內和三星的射頻前端份額,必然會導致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產出規模。
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導體材料。砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來...
2023-02-14 標簽:砷化鎵 8924 0
砷化鎵是發光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設計,典型代表是VCSEL(垂直腔...
產生量子糾纏的設備通常體積龐大,且每次只能產生一對糾纏光子。現在,科學家們發明了一種厚度約為一便士三分之一的裝置,它不僅可以成對產生復雜的糾纏光子網,還...
AMCOM的AM06013033MD-3H是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設計用作通用型應用領域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13G...
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