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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標簽：變壓器 MOSFET IGBT 5688 0

電機碳化硅技術指標是什么碳化硅國家技術標準介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領域得到廣泛的應用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標簽：電動車 SiC 碳化硅 5641 0

碳化硅在電子產(chǎn)品中的應用（2）

功率電子是基礎產(chǎn)業(yè);所有電力設備都將使用某種形式的電源管理器件。因此，功率器件的進步也推動了大量應用的進展。這就是為何看到使用WBG材料的功率電子是很常...

2018-09-25 標簽：半導體電源管理碳化硅 5604 0

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比

派恩杰半導體認為，Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品，因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。

2022-02-23 標簽：MOSFET 碳化硅 5601 0

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標簽：SiC 碳化硅 5470 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標簽：肖特基二極管功率器件 SiC 5452 0

半導體產(chǎn)業(yè)盛會_出席參展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴大，已是近6年全球最大、影響力最廣的半導體產(chǎn)業(yè)盛會，匯集全球半導體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...

2018-03-09 標簽：半導體晶圓碳化硅 5416 0

碳化硅單晶襯底加工技術的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...

2022-10-11 標簽：半導體碳化硅 5336 0

一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設計方案解析

電池供電的便攜設備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2020-12-30 標簽：鋰離子電池超級電容器電感器 5328 0

五大陶瓷基板材料特性及應用大全

BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導能力極高，BeO質(zhì)量分數(shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導率（熱導系數(shù)）可達310W/(m·K)，為同等純...

2023-04-12 標簽：半導體材料碳化硅陶瓷基板 5316 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動?SiC專用驅(qū)動支持多領域高效應用(下）

比鄰驅(qū)動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-25 標簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 5277 0

英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標簽：MOSFET IGBT 碳化硅 5219 0

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長，電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點

2023-05-16 標簽：半導體激光器激光二極管 5173 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiC GaN 碳化硅 5064 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 5038 1

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 標簽：肖特基二極管碳化硅 5026 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiC GaN 半導體器件 5010 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體 SiC 4995 0

碳化硅MOSFET的開關尖峰問題與TVS保護方案

在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關過程中也可能面臨電壓尖...

2024-08-15 標簽：MOSFET TVS 碳化硅 4985 0

SiC MOSFET模塊封裝技術及驅(qū)動設計

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特...

2024-10-16 標簽：MOSFET 半導體封裝技術 4976 0

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