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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 4977 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 4973 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 4943 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4916 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 4887 0

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度...

2023-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 CMP 4875 0

什么是Cu clip封裝？碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過封裝實現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片功率器件碳化硅 4810 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器電機(jī)驅(qū)動 4800 0

TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 4752 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽：晶圓溫度控制芯片封裝 4722 0

新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車，其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加，根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4680 0

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說的需要增加外部主動的液冷系統(tǒng)，傳統(tǒng)風(fēng)冷無論是主動還是被動冷卻均無法滿足要求，對于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高，...

2023-12-19 標(biāo)簽：電動汽車動力電池充電系統(tǒng) 4669 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4657 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。

2020-10-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 4622 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4548 0

氮化鎵芯片優(yōu)缺點有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵碳化硅 4490 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽：變壓器功率器件 Rohm 4476 0

金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點怎么比較

金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體硅金剛石電導(dǎo)率 4430 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 SiC 4426 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價鍵，是一種堅固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4378 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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