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標(biāo)簽 > 等離子體
等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子團被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì),尺度大于德拜長度的宏觀電中性電離氣體,其運動主要受電磁力支配,并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。
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干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用
碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。...
等離子體,英文名稱plasma,是物質(zhì)的第四態(tài),其他三態(tài)有固態(tài),液態(tài),氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài),又被稱為‘電漿’,具有帶電性和流動性的特點。
實驗名稱:等離子體壓力傳感器及其在動態(tài)壓力測量中的應(yīng)用研究方向:壓力傳感器測試目的:如何準(zhǔn)確測量高超沖壓發(fā)動機隔離段和航空發(fā)動機壓氣機部件的內(nèi)部流場是提...
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時,電子密度處于最低水平。一般來說,等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比,可以將時間平均離子能量分...
利用氨等離子體預(yù)處理進行無縫間隙fll工藝的生長抑制
引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計規(guī)則收縮是集成過程中每一步的一個挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過程中,使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成,甚至具有良好的臺階覆蓋。為...
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分,通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控,可以實現(xiàn)各向異性及各向...
等離子電視和液晶電視區(qū)別 等離子電視和液晶電視哪個比較好
等離子電視和液晶電視是兩種不同的顯示技術(shù),各自有其優(yōu)點和特點。在決定哪種電視更好之前,我們應(yīng)該了解兩種技術(shù)的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹等離子電視和液晶電視的特...
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng),并導(dǎo)致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而,隨著柵極長度減小到小于...
需要鋁金屬的地方太多了,在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中,鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...
2023-12-25 標(biāo)簽:存儲器等離子體半導(dǎo)體封裝 1380 0
本期和大家分享下關(guān)于涂層附著力的原理和影響因素,首先我們都知道涂層和基材之間是可以通過機械咬合、物理吸附、形成氫鍵和化學(xué)鍵、互相擴散等作用結(jié)合在一起,由...
2023-12-14 標(biāo)簽:等離子體 3495 0
書接上節(jié),常見的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個例子。當(dāng)然,它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...
磁場輔助激光加工技術(shù)是利用磁場約束激光加工誘導(dǎo)的等離子體,致使等離子體沿磁場方向膨脹,其余方向受壓縮,因而等離子體的密度會很低,大大削弱了屏蔽效果,使更...
在之前的《實踐出真知,實驗領(lǐng)創(chuàng)新》推文中,我們探討了與傳統(tǒng)的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比,動態(tài)反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負(fù)荷降低約12%,從而為...
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