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標(biāo)簽 > 鍵合
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封裝互連是指將芯片I/0端口通過金屬引線,金屬凸點(diǎn)等與封裝載體相互連接,實(shí)現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合( Wire Bonding, WB...
要了解混合鍵合,需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí),微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式,在芯片之間提供...
金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序,為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題,根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時(shí)間、加熱臺(tái)溫...
先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展
Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù),相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝,其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對(duì)應(yīng)用于先...
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火,獲得了無(wú)空洞或微裂紋的牢固結(jié)...
在微電子封裝領(lǐng)域,金絲鍵合(Wire Bonding)工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù),扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細(xì)金屬線(主要是金絲)將芯片上的焊...
球柵陣列 (Ball Crid Array, BGA)封裝在封裝基板底部植球,以此作為電路的 I/O接口,因此大大提升了 IC 的接口數(shù)量,并因其I/O...
本文通過對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式...
金線與金線短路 客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路 失效模式: 測(cè)試失效 (短路)
混合鍵合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法...
晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛...
自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connect,C4)技術(shù),或稱倒裝芯片技術(shù),凸點(diǎn)...
潘明東 朱悅 楊陽(yáng) 徐一飛 陳益新 (長(zhǎng)電科技宿遷股份公司) 摘要: 鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展,鍵合焊點(diǎn)根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣,該文...
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