三星已開(kāi)始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

2018-07-13 標(biāo)簽：三星電子閃存芯片 4210 0

臺(tái)積產(chǎn)線宕機(jī)：微軟系統(tǒng)控制生產(chǎn)線情形嚴(yán)重

據(jù)報(bào)道，中國(guó)和美國(guó)之間的貿(mào)易爭(zhēng)端讓韓國(guó)電子巨頭三星電子處境難堪。這兩個(gè)國(guó)家是三星的兩大市場(chǎng)，大約合占其2017年?duì)I收的40%。該公司面臨的挑戰(zhàn)在于，在避...

2018-08-08 標(biāo)簽：OLED閃存芯片5G 4144 0

東芝宣布正開(kāi)發(fā)最高容量的閃存芯片，將有5倍的提升

東芝宣布已經(jīng)進(jìn)行開(kāi)發(fā)擁有當(dāng)前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D N...

2018-08-13 標(biāo)簽：東芝閃存芯片 4092 0

三星電子閃存芯片項(xiàng)目落戶西安 第二階段投資達(dá)80億美元

從“尚未決定”到“最終落戶”，三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息，三星電子在西安的閃存芯片項(xiàng)目二期投資80億美元落地。在今年5月份，三星電...

2019-12-16 標(biāo)簽：三星電子閃存芯片 4060 0

日本東芝擬出售在美LNG業(yè)務(wù),2018年閃存芯片價(jià)格指數(shù)已累計(jì)下滑57%

據(jù)報(bào)道，高通正式宣布與三星合作開(kāi)發(fā)5G小型基站，并且與愛(ài)立信利用手機(jī)大小的終端完成了全球首個(gè)6GHz以下5G OTA呼叫。這意味著，技術(shù)對(duì)于5G終端的商...

2018-10-26 標(biāo)簽：臺(tái)積電閃存芯片無(wú)線充電 3965 0

美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出，減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽：NAND閃存芯片美光 3912 0

紫光集團(tuán)表示已掌握極具競(jìng)爭(zhēng)力的芯片技術(shù) 其中32層3DNAND閃存芯片將在第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

8月23日，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在重慶出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“智博會(huì)”）時(shí)表示，芯片是IT及通信產(chǎn)業(yè)的基石，同時(shí)也是智能產(chǎn)業(yè)的源頭，紫光集...

2018-08-24 標(biāo)簽：芯片閃存芯片紫光 3512 0

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。 　　在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的...

2019-10-29 標(biāo)簽：閃存芯片存儲(chǔ)芯片 3445 0

鎧俠宣布開(kāi)始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍

昨日，iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存，調(diào)試信息顯示芯片顆粒來(lái)自三星。

2020-02-26 標(biāo)簽：東芝存儲(chǔ)技術(shù)閃存芯片 3162 0

SK海力士將收購(gòu)英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽：芯片NAND閃存芯片 2878 0

主板原材料集體漲價(jià),導(dǎo)致主板成本至少增加10-20元

由于主板原材料報(bào)價(jià)集體飆升，其中電容最貴漲了30倍，最后導(dǎo)致主板終于也要漲價(jià)了，據(jù)悉一塊主板的成本目前至少增加了10-20元。

2017-12-11 標(biāo)簽：主板顯卡閃存芯片 2862 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000

2022年4月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。

2022-04-10 標(biāo)簽：接口閃存芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2235 0

消息稱三星一季度開(kāi)始發(fā)起閃存芯片降價(jià) 或引發(fā)業(yè)內(nèi)價(jià)格戰(zhàn)

閃存和內(nèi)存萎靡快兩年了，從多個(gè)DRAM芯片、模組廠商釋放的信號(hào)來(lái)看，內(nèi)存很快將止跌并迎來(lái)上漲，閃存的情況則例外。 最新消息稱，三星電子最快從今年一季度開(kāi)...

2021-01-14 標(biāo)簽：三星電子閃存芯片DRAM芯片 2176 0

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)，填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)...

2018-06-20 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器閃存芯片 2123 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND閃存芯片閃迪 2114 0