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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關掉后,所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。
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非易失性存儲器(Non-Volatile Memory, NVM)是指即使在電源關閉或失去外部電源的情況下,仍能保持存儲數據的計算機存儲器。這類存儲器在...
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。它是...
EEPROM適合的應用眾多,但對于汽車、醫療或航天系統等可靠性要求較高的應用,開發人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲器解決方案。
NVSRAM在通信設備中具有良好的性能和可靠性,使其成為一種受歡迎的數據存儲解決方案。
窄帶隙InSe/In2Se3鐵電異質結中可大幅調控的圓光生電流效應
鐵電材料中的光生電流效應在太陽能電池、光電探測和非易失性存儲器等領域具有應用潛力,吸引了廣泛的研究興趣,但目前可覆蓋全太陽光譜的窄帶隙鐵電材料還很少見。
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