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sio2技術

UCC21710 5.7kVrms ±10A，單通道隔離式柵極驅(qū)動器，帶 OC 檢測，用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 拉電流 219 0

UCC21759-Q1 汽車級3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 拉電流 238 0

sio2薄膜在集成電路中的作用

SiO?薄膜在集成電路中扮演著至關重要的角色，其作用主要包括以下幾個方面：絕緣層：SiO?薄膜作為良好的絕緣材料，被廣泛應用于集成電路中作為絕緣層。...

2024-09-27 標簽：集成電路晶體管 SiO2 2471 0

sio2膜層鍍膜如何解決膜裂

SiO?膜層鍍膜過程中出現(xiàn)的膜裂問題，可以通過多種方法來解決。以下是一些主要的解決策略： 1. 優(yōu)化鍍膜工藝蒸發(fā)速度控制：蒸發(fā)速度的設置對膜層厚度有...

2024-09-27 標簽：參數(shù)鍍膜 SiO2 1592 0

氫氟酸在晶圓中的作用是什么

硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學...

2023-08-02 標簽：晶圓熱處理 SiO2 1733 0

全方位剖析光纖光纜3

光纖，完整名稱叫做光導纖維，英文名是OPTIC FIBER。它是一種由玻璃或塑料制成的纖維，可作為光傳導工具。光纖的主要用途，是通信。目...

2023-02-14 標簽：光纖光纖通信 SiO2 1557 0

全方位剖析光纖光纜2

光纖，完整名稱叫做光導纖維，英文名是OPTIC FIBER。它是一種由玻璃或塑料制成的纖維，可作為光傳導工具。光纖的主要用途，是通信。目...

2023-02-14 標簽：光纖光纖通信 SiO2 1071 0

全方位剖析光纖光纜1

光纖，完整名稱叫做光導纖維，英文名是OPTIC FIBER。它是一種由玻璃或塑料制成的纖維，可作為光傳導工具。光纖的主要用途，是通信。目...

2023-02-14 標簽：光纖光纖通信 SiO2 1293 0

硅和SiO2的濕化學蝕刻機理

蝕刻機理諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

2022-07-11 標簽：蝕刻晶片 SiO2 2427 0

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二氧化硅薄膜應用領域及特性的詳細資料說明立即下載

類別：半導體技術論文 2020-03-10 標簽：半導體 SiO2 4553 0

sio2資訊

蝕刻基礎知識

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結構一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻，以便暴露出側向蝕刻表面（etched sidewall）提供增益波導或折射率波導效...

2025-01-22 標簽：雷射 SiO2 677 0

SiO2薄膜的刻蝕機理

本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機理。干法刻蝕SiO2的化學方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學方程式？如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反...

2024-12-02 標簽：薄膜 SiO2 刻蝕 1286 0

接觸孔工藝（Contact Process）

接觸孔工藝是集成電路制造中的關鍵工藝，也是技術難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一，是決定芯片面積的關鍵尺寸。

2022-11-22 標簽：集成電路 SiO2 CVD 9605 0

納米硅的制備方法

硅（Si）具有4200mAh/g的理論比容量，超高的理論比容量賦予其極大的電池應用潛力。

2022-07-10 標簽：納米硅儀器設備 SiO2 9581 0

如何用碳材料對納米硅進行改性

針對硅導電性差、電化學反應中體積變化大以及形成的SEI膜不穩(wěn)定等缺點，科研人員提出用碳材料對納米硅進行改性（即制備納米硅/碳復合材料（Nano-Si/C...

2022-07-10 標簽：納米硅鋰離子電解質(zhì) 2440 0

Si在鋰化過程中體積變化的緩沖作用

中空結構材料具有密度低、比表面積大等特點，被廣泛用于納米能源材料、生物醫(yī)藥等領域。Si在鋰化過程中可產(chǎn)生約300%的體積變化，中空Si/C核-殼結構可以...

2022-07-10 標簽：電流 SiO2 1538 0

3D多孔結構在電極載體方面的應用

多孔材料具有多孔和高比表面積的特點，在電極載體方面有著重要的應用。

2022-07-10 標簽：3D 電極納米 1794 0

芯片表面SiO2薄膜

在微電子技術以及在微結構、微光學和微化學傳感器中，需要在由不同材料構成的大面積的薄膜層中構造功能完善的結構。

2022-03-29 標簽：傳感器 SiO2 5201 0

粉塵檢測儀對火力發(fā)電廠粉塵危害的檢測

對于火力發(fā)電廠，主要有輸煤系統(tǒng)作業(yè)場所漂浮的煤塵;鍋爐運行中產(chǎn)生的；鍋爐檢修中接觸的鍋爐塵;干式除塵器運行；干灰輸送系統(tǒng)及粉煤灰綜合利用作業(yè)場所的粉塵；...

2021-11-05 標簽：激光制粉系統(tǒng)SiO2 1103 0

揭秘如何實現(xiàn)高質(zhì)量又可靠的高壓信號隔離

電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流（DC）和干擾交流（AC）信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護的另一區(qū)域。隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲...

2021-06-12 標簽：電路 DC AC 2369 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設計當中
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