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UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離式柵極驅動器,帶 OC 檢測,用于 IGBT/SiC 的內部箝位數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-16 17:26 ? 次閱讀

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅動器,旨在驅動高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態性能和穩健性。UCC21710具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側采用 SiO 2 電容隔離技術與輸出側隔離,支持高達 1.5 kV RMS 的工作電壓,隔離柵壽命超過 40 年,具有 12.8 kV PK 浪涌抗擾度,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
*附件:ucc21710.pdf

該UCC21710包括最先進的保護功能,例如快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO,以優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性。隔離式模擬轉 PWM 傳感器可用于更輕松地進行溫度或電壓傳感,進一步提高驅動器的多功能性,并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

特性

  • 5.7kV RMS 單通道隔離柵極驅動器
  • 驅動高達 2121V 峰的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 最小 CMTI 為 150V/ns
  • 4A 內部有源米勒夾具
  • 故障條件下的 400mA 軟關斷
  • 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器,用于
  • FLT 過流報警,并從 RST/EN 復位
  • RST/EN 上的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • 12V VDD UVLO,RDY 上電源正常
  • 具有過沖/下沖瞬態電壓的輸入/輸出抗擾度高達 5 V
  • 130ns(最大值)傳播延遲和 30ns(最大值)脈沖/部件偏移
  • SOIC-16 DW 封裝,爬電距離和間隙距離> 8 mm
  • 工作結溫 –40°C 至 150°C
  • 安全相關認證
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的增強絕緣
    • UL 1577 組件認可計劃

參數
image.png

一、產品概述

UCC0是一款A源/沉增強型隔離單通道門驅動器,專為SiC MOSFET和IGBT設計,提供高級集成保護、卓越的動態性能和穩健性。該驅動器支持高達V的峰值電壓,具有±0A的驅動能力、0V/ns的最小共模瞬態免疫(CMTI)以及A內部有源米勒鉗位等功能。

二、主要特性

  • ?高隔離電壓?:支持5.7-kV RMS的單通道隔離。
  • ?寬電壓范圍?:最大輸出驅動電壓為V,適用于SiC MOSFET和IGBT。
  • ?強驅動能力?:±A的峰值源和沉電流。
  • ?高CMTI?:V/ns的最小CMTI,增強對噪聲的抵抗能力。
  • ?有源保護?:包括過流保護、短路保護、軟關斷以及輸入/輸出側的欠壓鎖定(UVLO)。
  • ?隔離模擬傳感?:集成隔離模擬到PWM傳感器,用于溫度或電壓傳感。
  • ?快速響應?:具有快速啟用/禁用響應和噪聲瞬態抑制能力。

三、應用領域

  • 工業電機驅動
  • 服務器、電信和工業電源供應
  • 不間斷電源(UPS)
  • 太陽能逆變器
  • 可再生能源存儲轉換器

四、功能描述

1. 電源供應

  • 輸入側電源VCC支持3V至.V的寬電壓范圍。
  • 輸出側支持V至V的寬范圍電源供應。

2. 驅動階段

  • 具有±0A的峰值驅動能力,可直接驅動SiC MOSFET模塊或IGBT模塊。
  • 分裂輸出OUTH和OUTL,允許獨立控制開關的開通和關斷速度。

3. 保護特性

  • ?UVLO保護?:輸入側和輸出側均集成UVLO保護,確保在供電電壓不足時安全關閉輸出。
  • ?過流和短路保護?:快速檢測過流和短路情況,并通過軟關斷功能保護功率器件。
  • ?有源米勒鉗位?:防止在快速切換時由于米勒效應導致的誤開通。
  • ?短路鉗位?:在短路條件下鉗制輸出電壓,保護功率器件免受過壓損壞。

4. 隔離模擬傳感

  • 通過AIN引腳接收隔離的模擬信號,并將其轉換為PWM信號輸出,用于溫度或電壓監測。

五、典型應用

文檔提供了UCC0在半橋配置中的典型應用電路圖,并詳細說明了設計步驟,包括輸入濾波器設計、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、外部柵極電阻選擇、過流和短路保護電路設計以及隔離模擬信號傳感應用等。

六、電源推薦

  • 推薦在VCC、VDD和VEE引腳上使用低ESR/ESL的旁路電容,以穩定供電電壓并濾除高頻噪聲。

七、布局指南

  • 驅動器應盡可能靠近功率半導體放置,以減少寄生電感。
  • 解耦電容應盡可能靠近電源引腳放置。
  • COM引腳應連接到SiC MOSFET的源極或IGBT的發射極的開爾文連接點。
  • 輸入側應使用地平面屏蔽輸入信號,輸出側則根據具體應用情況決定是否使用地平面。
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