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UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-17 11:28 ? 次閱讀

UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器,專為高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21710-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離,支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
*附件:ucc21710-q1.pdf

UCC21710-Q1 包括最先進的保護功能,例如快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO,以優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性。隔離式模擬轉 PWM 傳感器可用于更輕松的溫度或電壓傳感,進一步提高驅動器的多功能性,并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

特性

  • 5.7kVRMS 單通道隔離柵極驅動器
  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 最小 CMTI 為 150V/ns
  • 270ns 響應時間快速過流保護
  • 4A 內部主動式米勒夾具
  • 發生故障時 400mA 軟關斷
  • 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器,用于
  • FLT 過流報警,并從 RST/EN 復位
  • RST/EN 上的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • 12V VDD UVLO,RDY 上電源正常
  • 具有過沖/下沖瞬態電壓的輸入/輸出抗擾度高達 5V
  • 130ns(最大)傳播延遲和 30ns(最大)脈沖/部件偏移
  • SOIC-16 DW 封裝,爬電距離和間隙距離> 8mm
  • 工作結溫 –40°C 至 150°C

參數

image.png

方框圖
image.png

一、產品概述

UCC0-Q是一款0A源/漏增強型隔離單通道門驅動器,專為SiC MOSFET和IGBT設計,具備高級保護功能和隔離模擬傳感能力。該驅動器適用于電動汽車(EV)牽引逆變器、車載充電器、混合動力電動汽車(HEV)/EV的DC/DC轉換器等應用。

二、主要特性

  • ?高隔離電壓?:支持5.7kV RMS的單通道隔離電壓。
  • ?寬溫度范圍?:-0°C至+°C的寬溫度工作范圍,符合AEC-Q0汽車應用標準。
  • ?強驅動能力?:±A的峰值源/漏電流,最大輸出驅動電壓可達3V(VDD-VEE)。
  • ?快速保護?:0ns響應時間的快速過電流保護。
  • ?高CMTI?:最小共模瞬態抑制比(CMTI)為V/ns。
  • ?軟關斷?:mA軟關斷電流,防止過電流和短路時的損壞。
  • ?隔離模擬傳感?:具有隔離模擬到PWM信號功能,用于溫度或電壓傳感。

三、應用領域

  • 電動汽車(EV)牽引逆變器
  • 車載充電器和充電樁
  • 混合動力電動汽車(HEV)/EV的DC/DC轉換器

四、功能描述

  • ?電源管理?:
    • 輸入側(VCC)支持3V至.V的寬電壓范圍。
    • 輸出側(VDD、VEE)支持3V至3V的寬電壓范圍,且支持雙極電源配置。
  • ?驅動能力?:具有±A的峰值源/漏電流,可直接驅動SiC MOSFET和IGBT模塊,無需額外緩沖電路。
  • ?保護功能?:
    • UVLO(欠壓鎖定):輸入側(VCC)和輸出側(VDD)均具有UVLO保護功能。
    • 過電流和短路保護:具有快速檢測和軟關斷功能,防止功率器件損壞。
    • DESAT保護:支持基于SenseFET、去飽和電路和分流電阻的過電流檢測。
    • 主動米勒鉗位:防止米勒效應引起的誤開通。
    • 過溫保護:監控結溫,防止過熱損壞。
  • ?隔離模擬傳感?:將隔離的模擬信號(如溫度或電壓)轉換為PWM信號,便于微控制器MCU)監測。

五、典型應用

文檔提供了UCC0-Q在半橋電路中的典型應用示例,包括設計要求、詳細設計步驟和布局指南。典型應用涵蓋了電源系統設計、輸入濾波器設計、PWM互鎖、故障信號處理、開關電阻選擇、功率損耗計算等方面。

六、電源推薦

為確保可靠運行,建議使用低ESR/ESL的陶瓷電容對電源進行旁路處理。推薦在VCC和GND之間使用1μF的電容,在VDD和COM、VEE和COM之間分別使用大于0μF的電容。

七、布局指南

  • 驅動器應盡可能靠近功率半導體放置,以減小寄生電感。
  • 旁路電容應盡可能靠近電源引腳放置。
  • COM引腳應連接到SiC MOSFET的源極或IGBT的發射極的凱爾文連接點。
  • 輸入側應使用地平面來屏蔽輸入信號,輸出側則根據具體應用場景決定是否使用地平面。
  • 避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層,以防噪聲耦合。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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