UCC21756-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
*附件：ucc21756-q1.pdf

輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。

UCC21756-Q1 包括最先進的保護功能，例如快速過流和短路檢測、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO，以優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性。隔離式模量轉 PWM 傳感器可用于更輕松地進行溫度或電壓傳感，進一步提高驅動器的多功能性，并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

特性

• 5.7kVRMS 單通道隔離柵極驅動器
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
• 功能安全 質量管理
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大輸出驅動電壓 （VDD-VEE）
• ±10A 驅動強度和分離輸出
• 最小 CMTI 為 150V/ns
• 200ns 響應時間快速 DESAT 保護，5V 閾值
• 4A 內部有源米勒箝位
• 發生故障時 900mA 軟關斷
• 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器，用于
  • 使用 NTC、PTC 或熱敏二極管進行溫度傳感
  • 高壓直流母線或相電壓
• 過流警報 FLT 并從 RST/EN 復位
• RST/EN 上的快速啟用/禁用響應
• 抑制 <40ns 噪聲瞬態和輸入引腳脈沖
• 12V VDD UVLO，RDY 上電源良好
• 輸入/輸出具有高達 5V 的過沖或下沖瞬態電壓抗擾度
• 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/部件偏移
• SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙距離> 8mm
• 工作結溫 –40°C 至 150°C

參數

方框圖

一、產品概述

UCC6-Q是一款專為SiC MOSFET和IGBT設計的增強型隔離單通道門驅動器，適用于電動汽車（EV）牽引逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器等應用。該驅動器具備高級保護功能、卓越的動態性能和魯棒性。

二、主要特性

• ?隔離電壓?：高達.kV RMS，支持高達1V DC的SiC MOSFET和IGBT。
• ?驅動能力?：±0A的峰值源/沉電流。
• ?保護功能?：快速過流和短路檢測、故障報告、有源米勒鉗位、輸入/輸出側電源欠壓鎖定（UVLO）。
• ?隔離模擬傳感?：帶PWM輸出的隔離模擬傳感器，用于溫度或電壓感測。
• ? 高共模瞬態抑制能力（CMTI） ?：最低0V/ns。
• ?快速響應?：0ns DESAT保護響應時間，帶5V閾值。
• ?封裝與認證?：SOIC- DW封裝，AEC-Q0認證。

三、應用領域

• 電動汽車（EV）牽引逆變器
• 車載充電器和充電樁
• HEV/EV的DC/DC轉換器

四、功能描述

1. 隔離與驅動

• 使用SiO電容隔離技術，實現輸入與輸出側之間的可靠隔離。
• 提供高達±A的峰值源/沉電流，可直接驅動SiC MOSFET和IGBT模塊。

2. 保護功能

• ?DESAT保護?：快速檢測過流和短路情況，實現軟關斷，防止功率器件損壞。
• ?有源米勒鉗位?：防止快速切換時的虛假導通。
• ?UVLO保護?：對輸入和輸出側電源進行監控，確保在電壓異常時關閉輸出。
• ?故障報告?：通過FLT引腳報告過流或短路故障，RST/EN引腳用于復位和使能控制。

3. 隔離模擬傳感

• AIN引腳支持隔離的模擬信號輸入，APWM引腳輸出相應的PWM信號，用于溫度或電壓感測。

五、典型應用

文檔提供了UCC6-Q在半橋電路中的典型應用電路，包括設計要求和詳細設計步驟，如輸入濾波、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、柵極電阻選擇、過流和短路保護、隔離模擬信號感測等。

六、電源推薦

• 輸入側電源VCC推薦范圍為V至5.5V。
• 輸出側電源VDD和VEE推薦范圍為V至V，需考慮UVLO閾值和滯回電壓。
• 建議在電源引腳附近放置低ESR/ESL的旁路電容，以穩定電源電壓。

七、布局指南

• 驅動器應盡可能靠近被驅動的功率器件，以減小寄生電感。
• 電源旁路電容應盡可能靠近電源引腳放置。
• 輸入信號應保持良好的信號完整性，避免長距離傳輸和干擾。
• 輸出側COM引腳應連接到功率器件的源極或發射極，以減小柵極驅動回路的寄生電感。