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CMP指令是由美國斯坦福大學提出的，英文名稱是Chip multiprocessors，翻譯成中文就是單芯片多處理器，也指多核心其思想是將大規模并行處理器中的SMP（對稱多處理器）集成到同一芯片內，各個處理器并行執行不同的進程。與CMP比較， SMT處理器結構的靈活性比較突出。

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cmp技術

三菱PLC的CMP比較指令

當比較指令的操作數不完整，（如只指定一個或二個操作數），指定的操作數不符合要求（如把X D T C 指定為目標操作數），或者指定的操作數的元件超出了允許...

2021-10-06 標簽：plc 三菱 CMP 4.7萬 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標簽：光刻 CMP 晶圓制造 1.9萬 1

CMP拋光材料的介紹和應用領域及市場分析

1）在單晶硅片制造環節，單晶硅片首先通過化學腐蝕減薄，此時粗糙度在 10-20μm，在進行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟，可將粗糙度控制在幾十個 nm 以...

2018-11-17 標簽：多晶硅 IC CMP 1.9萬 0

半導體行業中的化學機械拋光(CMP)技術詳解

20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，...

2023-08-02 標簽：芯片集成電路半導體 1.7萬 0

SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數、雙整數、實數等數據類型的數值進行比較。

2023-05-14 標簽：plc 指令 CMP 1.2萬 0

什么是銅互連？為什么銅互連非要用雙大馬士革工藝？

在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數雙大馬士革工藝，為什么？

2023-11-14 標簽：集成電路晶體管 CMP 1.1萬 0

TSV的工藝流程和關鍵技術綜述

TSV 是目前半導體制造業中最為先進的技術之一，已經應用于很多產品生產。實現其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關，在某種程度上直接決定了 TSV 的...

2023-02-17 標簽：半導體 PVD CMP 9475 0

CMP的概念、重要性及工作原理

化學機械拋光（CMP）是晶圓制造的關鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術的關鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和...

2023-08-02 標簽：集成電路半導體 CMP 8494 0

什么是硅片或者晶圓？一文了解半導體硅晶圓

硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結晶硅的薄片。

2023-07-18 標簽：電容器晶體管硅晶圓 8189 0

SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對如整數、雙整數、實數等數據類型的數值進行比較。

2023-05-11 標簽：plc 指令 CMP 8097 0

什么是硅片？為什么硅片表面如此光滑？

拋光液必須現場調配，立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比，實現現配現磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比，采用自動化的高精密...

2023-02-02 標簽：晶圓 CMP 硅片 7849 0

先進封裝之TSV及TGV技術初探（二）

另外一個將TGV填實的方案是將金屬導電膠進行TGV填實。利用金屬導電膠的優點是固化后導電通孔的熱膨脹系數可以調節，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標簽：BGA CMP MEMS器件 7432 0

一文詳解CMP設備和材料

在前道加工領域：CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械...

2023-07-10 標簽：晶圓 CMP 晶圓制造 7192 0

如何構建CMP模型神經網絡在CMP輪廓建模中的應用

CMP 建模有很長的歷史，包括單材料和雙材料拋光的建模，以及眾多沉積和蝕刻工藝的建模［6］。

2021-01-30 標簽：集成電路 CMP 機器學習 6701 0

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？

濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。

2023-02-10 標簽：半導體硅晶圓 PVD 6678 0

一文讀懂CMP拋光墊

在現代工業中，表面加工是至關重要的一環。為了達到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。

2023-06-08 標簽：半導體 mems 晶體管 6460 0

CMP功能介紹及應用實例

寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2：0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源，該功能可以用于防止電流調節在PWM起始時刻產生的尖峰電流。

2022-09-30 標簽：比較器定時器 CMP 6446 0

ICT技術高k金屬柵(HKMG)的工藝過程簡析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設計的區域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標簽：控制器 CMP ICT技術 5909 0

介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。

2024-01-26 標簽：晶圓 IC封裝 CMP 5812 0

CMP工藝技術淺析

在芯片制造制程和工藝演進到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續推進之時，CMP技術應運而生，是集成電路制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。...

2023-02-03 標簽：集成電路封裝工藝 5706 0

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