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標(biāo)簽 > cmp
CMP指令是由美國(guó)斯坦福大學(xué)提出的,英文名稱是Chip multiprocessors,翻譯成中文就是單芯片多處理器,也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP(對(duì)稱多處理器)集成到同一芯片內(nèi),各個(gè)處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。與CMP比較, SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。
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當(dāng)比較指令的操作數(shù)不完整,(如只指定一個(gè)或二個(gè)操作數(shù)),指定的操作數(shù)不符合要求(如把X D T C 指定為目標(biāo)操作數(shù)),或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...
CMP拋光材料的介紹和應(yīng)用領(lǐng)域及市場(chǎng)分析
1)在單晶硅片制造環(huán)節(jié),單晶硅片首先通過(guò)化學(xué)腐蝕減薄,此時(shí)粗糙度在 10-20μm,在進(jìn)行粗拋光、細(xì)拋光、精拋光等步驟,可將粗糙度控制在幾十個(gè) nm 以...
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解
20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,...
SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡(jiǎn)述
TIA博途軟件提供了豐富的比較指令,可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對(duì)如整數(shù)、雙整數(shù)、實(shí)數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進(jìn)行比較。
在芯片制程中,很多金屬都能用等離子的方法進(jìn)行刻蝕,例如金屬Al,W等。但是唯獨(dú)沒(méi)有聽說(shuō)過(guò)干法刻銅工藝,聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝,為什么?
TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和...
SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡(jiǎn)述
TIA博途軟件提供了豐富的比較指令,可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對(duì)如整數(shù)、雙整數(shù)、實(shí)數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進(jìn)行比較。
拋光液必須現(xiàn)場(chǎng)調(diào)配,立即使用。通過(guò)測(cè)量容積或液位實(shí)時(shí)確保各種成分的配比,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來(lái)做配比,采用自動(dòng)化的高精密...
另外一個(gè)將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié),使其接近基材,避免了因CTE不匹配造成的失效。
在前道加工領(lǐng)域:CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械...
如何構(gòu)建CMP模型 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在CMP輪廓建模中的應(yīng)用
CMP 建模有很長(zhǎng)的歷史,包括單材料和雙材料拋光的建模,以及眾多沉積和蝕刻工藝的建 模 [6]。
2021-01-30 標(biāo)簽:集成電路CMP機(jī)器學(xué)習(xí) 6713 0
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2:0]位用于選擇比較器消隱窗口的來(lái)源,該功能可以用于防止電流調(diào)節(jié)在PWM起始時(shí)刻產(chǎn)生的尖峰電流。
ICT技術(shù)高k金屬柵(HKMG)的工藝過(guò)程簡(jiǎn)析
下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的,這是為了SEG可以生長(zhǎng)在設(shè)計(jì)的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕,這種刻蝕對(duì)<111>晶體硅具有高的選擇性。
2023-08-25 標(biāo)簽:控制器CMPICT技術(shù) 5929 0
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