cmp

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CMP指令是由美國(guó)斯坦福大學(xué)提出的，英文名稱是Chip multiprocessors，翻譯成中文就是單芯片多處理器，也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對(duì)稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個(gè)處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。與CMP比較， SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。

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cmp技術(shù)

三菱PLC的CMP比較指令

當(dāng)比較指令的操作數(shù)不完整，（如只指定一個(gè)或二個(gè)操作數(shù)），指定的操作數(shù)不符合要求（如把X D T C 指定為目標(biāo)操作數(shù)），或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...

2021-10-06 標(biāo)簽：plc 三菱 CMP 4.7萬(wàn) 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標(biāo)簽：光刻 CMP 晶圓制造 1.9萬(wàn) 1

CMP拋光材料的介紹和應(yīng)用領(lǐng)域及市場(chǎng)分析

1）在單晶硅片制造環(huán)節(jié)，單晶硅片首先通過(guò)化學(xué)腐蝕減薄，此時(shí)粗糙度在 10-20μm，在進(jìn)行粗拋光、細(xì)拋光、精拋光等步驟，可將粗糙度控制在幾十個(gè) nm 以...

2018-11-17 標(biāo)簽：多晶硅 IC CMP 1.9萬(wàn) 0

半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解

20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，...

2023-08-02 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 1.7萬(wàn) 0

SIMATIC S7-1500 PLC小于比較指令與大于等于比較指令簡(jiǎn)述

TIA博途軟件提供了豐富的比較指令，可以滿足用戶的各種需要。TIA博途軟件中的比較指令可以對(duì)如整數(shù)、雙整數(shù)、實(shí)數(shù)等數(shù)據(jù)類型的數(shù)值進(jìn)行比較。

2023-05-14 標(biāo)簽：plc 指令 CMP 1.2萬(wàn) 0

什么是銅互連？為什么銅互連非要用雙大馬士革工藝？

在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進(jìn)行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨(dú)沒(méi)有聽說(shuō)過(guò)干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝，為什么？

2023-11-14 標(biāo)簽：集成電路晶體管 CMP 1.1萬(wàn) 0

TSV的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)綜述

TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一，已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān)，在某種程度上直接決定了 TSV 的...

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PVD CMP 9489 0

CMP的概念、重要性及工作原理

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價(jià)值量較高，分別占CMP耗材49%和...

2023-08-02 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 CMP 8528 0

什么是硅片或者晶圓？一文了解半導(dǎo)體硅晶圓

硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。

2023-07-18 標(biāo)簽：電容器晶體管硅晶圓 8216 0

SIMATIC S7-1500 PLC等于比較指令與不等于比較指令簡(jiǎn)述

2023-05-11 標(biāo)簽：plc 指令 CMP 8124 0

什么是硅片？為什么硅片表面如此光滑？

拋光液必須現(xiàn)場(chǎng)調(diào)配，立即使用。通過(guò)測(cè)量容積或液位實(shí)時(shí)確保各種成分的配比，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來(lái)做配比，采用自動(dòng)化的高精密...

2023-02-02 標(biāo)簽：晶圓 CMP 硅片 7873 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探（二）

另外一個(gè)將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標(biāo)簽：BGA CMP MEMS器件 7441 0

一文詳解CMP設(shè)備和材料

在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械...

2023-07-10 標(biāo)簽：晶圓 CMP 晶圓制造 7222 0

如何構(gòu)建CMP模型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在CMP輪廓建模中的應(yīng)用

CMP 建模有很長(zhǎng)的歷史，包括單材料和雙材料拋光的建模，以及眾多沉積和蝕刻工藝的建模［6］。

2021-01-30 標(biāo)簽：集成電路 CMP 機(jī)器學(xué)習(xí) 6713 0

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？

濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。

2023-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓 PVD 6684 0

一文讀懂CMP拋光墊

在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進(jìn)行拋光處理。

2023-06-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 mems 晶體管 6502 0

CMP功能介紹及應(yīng)用實(shí)例

寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2：0]位用于選擇比較器消隱窗口的來(lái)源，該功能可以用于防止電流調(diào)節(jié)在PWM起始時(shí)刻產(chǎn)生的尖峰電流。

2022-09-30 標(biāo)簽：比較器定時(shí)器 CMP 6464 0

ICT技術(shù)高k金屬柵(HKMG)的工藝過(guò)程簡(jiǎn)析

下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長(zhǎng)在設(shè)計(jì)的區(qū)域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對(duì)＜111＞晶體硅具有高的選擇性。

2023-08-25 標(biāo)簽：控制器 CMP ICT技術(shù) 5929 0

介紹晶圓減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。

2024-01-26 標(biāo)簽：晶圓 IC封裝 CMP 5846 0

CMP工藝技術(shù)淺析

在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒(méi)有合適的拋光工藝無(wú)法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí)，CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。...

2023-02-03 標(biāo)簽：集成電路封裝工藝 5721 0

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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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