完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > DDR4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。
數(shù)據(jù)規(guī)格
DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。
根據(jù)此前的規(guī)劃，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”（虛擬開漏極）技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星稱，2010年12月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進行測試，并計劃與多家內(nèi)存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，預(yù)計2012年開始投入商用。
DDR3和DDR4性能差距有多大
DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，最高可達4266MHz。
儲存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，同時DDR4能夠搭載最多8個模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V而DDR4降至1.2V，移動設(shè)備設(shè)計的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps（256MB/s）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。
默認頻率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133頻率下帶寬測試：48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。
總結(jié)：
1：DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2：DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz3：DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB4：DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計 考慮。 ...
在系統(tǒng)級仿真中，與DDR4-3200 相比，更高數(shù)據(jù)速率下的 DDR5 的有效帶寬幾乎是其兩倍。這種改進是通過提高數(shù)據(jù)速率和增強架構(gòu)來實現(xiàn)的。DDR5 ...
DDR4（Double Data Rate 4）時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。...
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory）...
DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工...
DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
DDR4（Double Data Rate 4）作為當(dāng)前主流的計算機內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
2024-09-04 標(biāo)簽：計算機DDR4內(nèi)存技術(shù) 7285 0
DDR4（DDR4-SDRAM，即第4代DDR-SDRAM）作為當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的RAM存儲器，其結(jié)構(gòu)和尋址方式對于理解其高性能和存儲容量...
DDR4（Double Data Rate 4）接口引腳的具體定義和功能是一個復(fù)雜且詳細的話題，涉及到電源、地、控制信號、時鐘信號、地址信號以及數(shù)據(jù)信號...
DDR4（Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memor...
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類別：存儲器技術(shù) 2023-01-13 標(biāo)簽：DDR3DDR2DDR4
類別：IC datasheet pdf 2022-12-05 標(biāo)簽：SDRAMDDR4
類別：規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2022-11-29 標(biāo)簽：SDRAMDDR4
2025紫光同創(chuàng)Workshop系列活動正式啟航
5月，一年一度的紫光同創(chuàng)Workshop系列活動正式啟航，硬核產(chǎn)品發(fā)布、干貨技術(shù)分享及精彩應(yīng)用案例展示，燃動灣區(qū)，為深圳和廣州兩地開發(fā)者帶來了一場FPG...
2025-05-22 標(biāo)簽：FPGADDR4紫光同創(chuàng) 259 0
看點：三星DDR4內(nèi)存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道...
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR...
今日看點丨美國宣布：征收高達3403%關(guān)稅??；傳三星停產(chǎn)DDR4
1. 傳ASML 取消與三星合作的半導(dǎo)體研究設(shè)施，轉(zhuǎn)而尋求替代方案 ? 2023年末，三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協(xié)議，雙方將在韓國京畿道東...
DDR4或年內(nèi)停產(chǎn)，三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)...
2025-02-21 標(biāo)簽：DDR4 1449 0
國風(fēng)裝機的點睛之筆，神凝DDR4內(nèi)存評測體驗
《黑神話:悟空》作為首款國產(chǎn)3A大作,無疑非常成功。無論取材還是游戲中場景的還原程度,都為它增添了極高的藝術(shù)造詣,同時也點燃了大家對傳統(tǒng)文化的熱愛。雖然...
DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的...
2024-11-29 標(biāo)簽：DDR3數(shù)據(jù)DDR4 8689 0
在當(dāng)今快節(jié)奏的辦公環(huán)境中，高效、穩(wěn)定、安全的辦公設(shè)備至關(guān)重要。而國產(chǎn)瘦客戶機憑借其輕便、經(jīng)濟、易于維護等特點，成為眾多場景的理想選擇。以高能計算機推出的...
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRA...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
