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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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dft技術(shù)

解析什么是DFT友好的功能ECO？

DFT是確保芯片在制造過(guò)程中具有可測(cè)試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進(jìn)行ECO時(shí)，不會(huì)破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計(jì)方法。DFT...

2023-05-05 標(biāo)簽：芯片寄存器 DFT 2263 0

富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

尺寸較小的2D納米材料還可以提供更多的邊緣活性位點(diǎn)，因此通過(guò)2D納米材料的尺寸調(diào)控也能夠提高催化性能。在2D氧化物納米材料中引入缺陷

2022-11-03 標(biāo)簽：DFT TOF 2241 0

原位磁性測(cè)試揭示過(guò)渡金屬化合物儲(chǔ)鋰/儲(chǔ)鈉性能差異根源

鋰離子（Li+）、鈉離子（Na+）等單價(jià)堿金屬離子是可充電二次電池中具有重要現(xiàn)實(shí)意義的基本電荷載體，為全球現(xiàn)代化建設(shè)奠定了基礎(chǔ)。

2023-04-19 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT 鈉離子電池 2219 0

缺陷誘導(dǎo)致密非晶/晶相異質(zhì)結(jié)實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定儲(chǔ)鈉

該工作結(jié)合先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)研究與密度泛函理論（DFT）計(jì)算，探索了V2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成強(qiáng)協(xié)同效應(yīng)的致密A/C界面的機(jī)理和Na+擴(kuò)散的動(dòng)力學(xué)機(jī)制，并將A/C-...

2022-11-07 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 鈉離子電池 2212 0

用晶面工程方法設(shè)計(jì)具有高容量和快速電化學(xué)動(dòng)力學(xué)的MOF基電極

金屬有機(jī)骨架(MOFs)作為一種有前途的電極材料，越來(lái)越受到科研界的關(guān)注。但是，大多數(shù)研究中都是直接使用MOF電極作為電極材料而不進(jìn)行任何修飾。

2022-10-24 標(biāo)簽：電容器堿性電池 PFC 2198 0

DFT之MBIST存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試原因

MBIST是Memory Build-In-Self Test的簡(jiǎn)稱(chēng)，意為存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試。

2024-05-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 JTAG DFT 2198 0

IR Drop對(duì)芯片性能及功能的影響

之前做過(guò)一個(gè)項(xiàng)目，有個(gè)模塊例化了10次，流片回來(lái)測(cè)試，有9個(gè)正常工作，另外一個(gè)工作不起來(lái)。這時(shí)這個(gè)模塊的負(fù)責(zé)人就來(lái)找我，問(wèn)到：IR仿真時(shí)這10個(gè)模塊結(jié)果...

2023-06-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)器時(shí)鐘緩沖器 2196 0

元素?fù)诫s對(duì)LaAlO3紅外輻射材料的帶隙調(diào)控

紅外輻射陶瓷作為一種新型節(jié)能材料，受到高溫工業(yè)的廣泛關(guān)注。

2023-11-01 標(biāo)簽：DoS DFT 光譜儀 2194 0

通過(guò)電化學(xué)和化學(xué)方法進(jìn)行LiFePO4的預(yù)鋰化

磷酸鐵鋰(LiFePO4)因其低成本和高循環(huán)穩(wěn)定性而被廣泛用作儲(chǔ)能鋰離子電池的正極材料。

2022-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池加速器 DFT 2167 0

精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽(yáng)極

精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌(包括晶格結(jié)構(gòu)和晶面取向)有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽(yáng)極，提高金屬電池循環(huán)穩(wěn)定性。

2023-01-31 標(biāo)簽：SEM PVA 電解液 2093 0

相結(jié)工程觸發(fā)內(nèi)置電場(chǎng)助力-30℃快充電池

快速充電鋰離子電池在低溫（<30℃）下的高運(yùn)行能力對(duì)于寒冷地區(qū)電網(wǎng)的頻率調(diào)節(jié)和峰值負(fù)荷轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。

2023-05-04 標(biāo)簽：鋰離子電池充電電池 DFT 2066 0

手機(jī)芯片為啥這么燒錢(qián)？

芯片就像手機(jī)的大腦，我們將輸入信號(hào)作為原材料輸入手機(jī)，通過(guò)改變芯片內(nèi)部的走線(xiàn)、邏輯，就能對(duì)輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。

2023-06-01 標(biāo)簽：晶圓晶體管 DFT 2052 0

利用嵌入式基體材料進(jìn)行電化學(xué)提取鋰

通過(guò)計(jì)算和實(shí)驗(yàn)研究，證明了鋰和鈉在宿主中傾向于相分離。基于此作用機(jī)制，通過(guò)調(diào)節(jié)非平衡固溶體中鋰含量調(diào)節(jié)Na+嵌入能壘。

2022-09-28 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)鋰離子 DFT 2028 0

基于超薄MXene基異質(zhì)結(jié)雙向催化的大載量鋰硫電池介紹

近來(lái)，催化作用被認(rèn)為是解決鋰硫電池緩慢的電化學(xué)反應(yīng)和穿梭效應(yīng)的有效手段。同時(shí)，二維MXene材料因其超高的電導(dǎo)率和獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)在儲(chǔ)能材料領(lǐng)域獲得了廣泛研究。

2022-10-18 標(biāo)簽：DFT 鋰硫電池 XPS 2022 0

DFT的簡(jiǎn)單介紹（上）

DFT全稱(chēng)為Design for Test，可測(cè)性設(shè)計(jì)。就是說(shuō)我們?cè)O(shè)計(jì)好一個(gè)芯片后，在仿真時(shí)可能99%的用例都通過(guò)了，怎么保證流片出來(lái)的實(shí)際芯片也能正常工作呢？

2023-12-06 標(biāo)簽：DFT ATE GDS 1991 0

淺析鈣鈦礦涂層穩(wěn)定超高鎳正極

超高鎳層狀氧化物已被提議作為有希望的正極來(lái)滿(mǎn)足電動(dòng)車(chē)輛續(xù)航里程的需求，然而它們?nèi)匀皇艿秸壑缘难h(huán)性和熱穩(wěn)定性的困擾。

2023-02-02 標(biāo)簽：鋰離子電池 SEM 電解質(zhì) 1958 0

下一代鋰電池高性能正極材料的設(shè)計(jì)思路-離子交換法

層狀氧化物正極材料中如高鎳三元材料和富鋰材料，由于其優(yōu)良的鋰離子傳輸特性、高能量密度和相對(duì)較低的成本，已被廣泛用于鋰離子電池。

2023-05-15 標(biāo)簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 1913 0

易于實(shí)現(xiàn)且全面的3D堆疊裸片器件測(cè)試方法

當(dāng)裸片尺寸無(wú)法繼續(xù)擴(kuò)大時(shí)，開(kāi)發(fā)者開(kāi)始考慮投入對(duì) 3D 堆疊裸片方法的研究。考慮用于 3D 封裝的高端器件已經(jīng)將當(dāng)前的可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 解決方案推...

2023-02-28 標(biāo)簽：IC測(cè)試 DFT 3D封裝 1904 0

用于光電化學(xué)水分解的原始GaFeO3光電陽(yáng)極

光電化學(xué) (PEC) 水分解作為無(wú)碳足跡的制氫途徑受到廣泛關(guān)注。在光電化學(xué)水分解過(guò)程中，半導(dǎo)體光電極吸收太陽(yáng)能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，這些光生載流子在半導(dǎo)體-...

2023-01-30 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT PEC 1900 0

界面皆可LiF？闡述局部如何影響鋰離子傳輸

鋰離子電池（LIBs）在電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用，電池中自發(fā)形成的鈍化層，即電極和電解質(zhì)之間的固體電解質(zhì)界面（SEI），對(duì)鋰離子電池的性能和耐用性至關(guān)重要。

2023-01-16 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT sei膜 1891 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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手機(jī)內(nèi)存

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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