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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號從時間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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分享芯片出SDF文件的一個“坑”

不同于PT，Tempus會默認(rèn)寫出setuphold的負(fù)值。

2023-05-08 標(biāo)簽：mcu ISP DFT 2568 0

FIR數(shù)字濾波器具有線性相位的充分條件是什么？

這就是證明的方式。請同學(xué)們理解這個過程。在課堂上，我將x(n)換成了n，結(jié)果很多同學(xué)就有點蒙了。

2022-10-24 標(biāo)簽：數(shù)字濾波器 FIR DFT 2566 0

FPGA實現(xiàn)OFDM（1）-OFDM的原理是什么？

fromwiki:調(diào)制是將傳送資料對應(yīng)于載波變化的動作，可以是載波的相位、頻率、幅度、或是其組合。

2023-06-27 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計編碼器 DFT 2565 0

景芯SoC項目之DFT debug

景芯SoC項目是個付費(fèi)培訓(xùn)項目，項目數(shù)據(jù)在服務(wù)器上。景芯SoC在tessent完成edt occ插入并且仿真OK后，去綜合，然后做scan chain ...

2023-08-09 標(biāo)簽：soc 仿真服務(wù)器 2503 0

一種用于水系鋅離子電池的新型碳基聚合物PODA/MnO2雜化正極材料

盡管如此，Zn//MnO2電池的使用壽命和倍率性能仍有較大提升空間，尤其是在高負(fù)載量和深度放電條件下。

2022-11-09 標(biāo)簽：離子電池 DFT 電池充放電 2496 0

數(shù)字IC前端設(shè)計流程及工具

以門級網(wǎng)表（Netlist）生成為分界線，之前稱為前端，之后稱為后端。

2023-06-25 標(biāo)簽：IC設(shè)計 RTL DFT 2448 0

詳細(xì)描述和解釋GOF ECO每一個步驟的實現(xiàn)方法和注意事項

GOF ECO不僅大大縮短了芯片ECO的Turn-around時間，還大大提升了芯片復(fù)雜邏輯ECO的成功率。

2022-11-07 標(biāo)簽：RTL DFT GUI 2415 0

基于拓?fù)浞磻?yīng)法制備高質(zhì)量鐵基超導(dǎo)薄膜

制備高質(zhì)量的鐵基超導(dǎo)體并進(jìn)行系統(tǒng)的物性表征是深入認(rèn)識高溫超導(dǎo)機(jī)理的重要途經(jīng)。在FeCh(Ch=S, Se, Te)基超導(dǎo)體中，單層FeSexTe1-x/...

2022-11-04 標(biāo)簽：DFT ssc 傅里葉變換 2392 0

調(diào)節(jié)水中O-H鍵的溶劑化設(shè)計實現(xiàn)高度可逆水系鋅離子電池

近年來，鋅離子電池的發(fā)展備受關(guān)注。水系鋅離子電池面臨的挑戰(zhàn)包括電化學(xué)穩(wěn)定窗口窄、鋅電極腐蝕和枝晶生長、工作溫區(qū)窄以及正極材料性能衰退等。

2023-05-16 標(biāo)簽：鋅電池電解質(zhì)電解液 2384 0

一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

金屬鋅作為鋅離子電池研究的圣杯陽極，具有理論比容量高(820 mAh g?1)和Zn/Zn2+ (-0.76 V vs標(biāo)準(zhǔn)氫電極)氧化還原電位低的優(yōu)點。

2023-06-14 標(biāo)簽：離子電池電解液 DFT 2372 0

DFT如何產(chǎn)生PLL 測試pattern

DFT PLL向量，ATE怎么用？自動測試設(shè)備（ATE）對PLL（鎖相環(huán)）進(jìn)行測試時，我們首先要明白PLL在系統(tǒng)級芯片（SoC）中的重要性。它是SoC...

2023-10-30 標(biāo)簽：芯片測試 IC 2367 0

混合多功能界面作為人工SEI層實現(xiàn)無枝晶、長壽命的金屬鈉負(fù)極

在循環(huán)過程中，鈉金屬負(fù)極的鈉枝晶生長不受控制，SEI形成不穩(wěn)定，導(dǎo)致庫侖效率差，壽命較短。為了解決這一問題，本文研究了一系列鈉離子導(dǎo)電合金型保護(hù)界面(N...

2023-06-29 標(biāo)簽：SEM DFT XRD 2361 0

數(shù)字IC設(shè)計流程中為什么要做門級仿真？

門級仿真（gate levelsimulation）也稱之為后仿真，是數(shù)字IC設(shè)計流程中的一個重要步驟。

2023-06-07 標(biāo)簽：IC設(shè)計芯片設(shè)計仿真 2360 0

Lightelligence使用Cadence Xcelium多核加速DFT仿真

當(dāng)今片上系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性日益增加，可能導(dǎo)致長達(dá)數(shù)小時、數(shù)天甚至數(shù)周的可測試性（DFT）仿真設(shè)計。由于這些往往發(fā)生在專用集成電路（ASIC）項目結(jié)束時...

2023-04-20 標(biāo)簽：集成電路仿真 DFT 2342 0

高性能超高鎳層狀正極的多尺度晶體場效應(yīng)

通常認(rèn)為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級顆粒內(nèi)隨機(jī)取向的初級晶粒的晶間裂紋密切相關(guān)，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機(jī)械應(yīng)變...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動汽車電解質(zhì)DFT 2333 0

如何使用DFT App進(jìn)行硬件加速仿真設(shè)計

DFT 可以降低通過問題器件的風(fēng)險，如果最終在實際應(yīng)用中才發(fā)現(xiàn)器件有缺陷，所產(chǎn)生的成本將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于在制造階段發(fā)現(xiàn)的成本。它還能避免剔除無缺陷器件，從而提高...

2019-09-16 標(biāo)簽：eda DFT 2307 0

一種快速DFT DRC檢查的功能介紹

在芯片做功能ECO時，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計的原因。

2023-03-06 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 2281 0

Ti3C2 MXenes上的氧化物納米團(tuán)簇鈍化缺陷以增強(qiáng)鋰離子存儲性能

MXenes作為鋰離子電池負(fù)極的商業(yè)化在很大程度上受到低初始庫侖效率（ICE）和不利的循環(huán)穩(wěn)定性的阻礙，這與Ti3C2 MXene 上的Ti空位(VTi...

2023-01-03 標(biāo)簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 2277 0

介紹一種新型的可充電鋅-肼(Zn-Hz)電池

氫(H2)具有高能量密度和零排放污染的優(yōu)點，被認(rèn)為是傳統(tǒng)化石燃料的理想替代品。電解水是一種不排放二氧化碳、生產(chǎn)高純度H2 (95%)的有效方法。

2022-10-27 標(biāo)簽：充放電 DFT EDS 2274 0

超薄羥基化二氧化硅離子篩實現(xiàn)均勻的鋅離子分布和沉積

水系鋅離子電池(AZIB)由于其低成本、與水性電解質(zhì)兼容以及高理論容量，已被視為鋰離子電池(LIB)的有前途的替代品，尤其是在大規(guī)模電網(wǎng)儲能領(lǐng)域具有巨大的優(yōu)勢。

2022-12-06 標(biāo)簽：鋰離子電池電解液 DFT 2265 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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