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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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FPGA實(shí)現(xiàn)OFDM（1）-OFDM的原理是什么？

fromwiki:調(diào)制是將傳送資料對(duì)應(yīng)于載波變化的動(dòng)作，可以是載波的相位、頻率、幅度、或是其組合。

2023-06-27 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計(jì)編碼器 DFT 2445 0

揭示固態(tài)電解質(zhì)中鋰鹽解離的重要機(jī)制！

清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院康飛宇（本刊主編）、賀艷兵（本刊執(zhí)行主編）、柳明（本刊青年編委）、侯廷政（本刊青年編委）團(tuán)隊(duì)闡明了 BaTiO3鐵電填料誘導(dǎo) L...

2024-05-22 標(biāo)簽：DFT PFM 固態(tài)電解質(zhì) 2403 0

一種用于水系鋅離子電池的新型碳基聚合物PODA/MnO2雜化正極材料

盡管如此，Zn//MnO2電池的使用壽命和倍率性能仍有較大提升空間，尤其是在高負(fù)載量和深度放電條件下。

2022-11-09 標(biāo)簽：離子電池 DFT 電池充放電 2397 0

景芯SoC項(xiàng)目之DFT debug

景芯SoC項(xiàng)目是個(gè)付費(fèi)培訓(xùn)項(xiàng)目，項(xiàng)目數(shù)據(jù)在服務(wù)器上。景芯SoC在tessent完成edt occ插入并且仿真OK后，去綜合，然后做scan chain ...

2023-08-09 標(biāo)簽：soc 仿真服務(wù)器 2395 0

分享芯片出SDF文件的一個(gè)“坑”

不同于PT，Tempus會(huì)默認(rèn)寫出setuphold的負(fù)值。

2023-05-08 標(biāo)簽：mcu ISP DFT 2388 0

數(shù)字IC前端設(shè)計(jì)流程及工具

以門級(jí)網(wǎng)表（Netlist）生成為分界線，之前稱為前端，之后稱為后端。

2023-06-25 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)RTL DFT 2363 0

調(diào)節(jié)水中O-H鍵的溶劑化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高度可逆水系鋅離子電池

近年來(lái)，鋅離子電池的發(fā)展備受關(guān)注。水系鋅離子電池面臨的挑戰(zhàn)包括電化學(xué)穩(wěn)定窗口窄、鋅電極腐蝕和枝晶生長(zhǎng)、工作溫區(qū)窄以及正極材料性能衰退等。

2023-05-16 標(biāo)簽：鋅電池電解質(zhì)電解液 2307 0

基于拓?fù)浞磻?yīng)法制備高質(zhì)量鐵基超導(dǎo)薄膜

制備高質(zhì)量的鐵基超導(dǎo)體并進(jìn)行系統(tǒng)的物性表征是深入認(rèn)識(shí)高溫超導(dǎo)機(jī)理的重要途經(jīng)。在FeCh(Ch=S, Se, Te)基超導(dǎo)體中，單層FeSexTe1-x/...

2022-11-04 標(biāo)簽：DFT ssc 傅里葉變換 2303 0

詳細(xì)描述和解釋GOF ECO每一個(gè)步驟的實(shí)現(xiàn)方法和注意事項(xiàng)

GOF ECO不僅大大縮短了芯片ECO的Turn-around時(shí)間，還大大提升了芯片復(fù)雜邏輯ECO的成功率。

2022-11-07 標(biāo)簽：RTL DFT GUI 2286 0

數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中為什么要做門級(jí)仿真？

門級(jí)仿真（gate levelsimulation）也稱之為后仿真，是數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中的一個(gè)重要步驟。

2023-06-07 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)芯片設(shè)計(jì)仿真 2265 0

Lightelligence使用Cadence Xcelium多核加速DFT仿真

當(dāng)今片上系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性日益增加，可能導(dǎo)致長(zhǎng)達(dá)數(shù)小時(shí)、數(shù)天甚至數(shù)周的可測(cè)試性（DFT）仿真設(shè)計(jì)。由于這些往往發(fā)生在專用集成電路（ASIC）項(xiàng)目結(jié)束時(shí)...

2023-04-20 標(biāo)簽：集成電路仿真 DFT 2260 0

如何使用DFT App進(jìn)行硬件加速仿真設(shè)計(jì)

DFT 可以降低通過(guò)問(wèn)題器件的風(fēng)險(xiǎn)，如果最終在實(shí)際應(yīng)用中才發(fā)現(xiàn)器件有缺陷，所產(chǎn)生的成本將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于在制造階段發(fā)現(xiàn)的成本。它還能避免剔除無(wú)缺陷器件，從而提高...

2019-09-16 標(biāo)簽：eda DFT 2257 0

高性能超高鎳層狀正極的多尺度晶體場(chǎng)效應(yīng)

通常認(rèn)為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級(jí)顆粒內(nèi)隨機(jī)取向的初級(jí)晶粒的晶間裂紋密切相關(guān)，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機(jī)械應(yīng)變...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電解質(zhì)DFT 2227 0

一系列芳香族小分子鋅離子電池電解液添加劑的應(yīng)用研究

金屬鋅作為鋅離子電池研究的圣杯陽(yáng)極，具有理論比容量高(820 mAh g?1)和Zn/Zn2+ (-0.76 V vs標(biāo)準(zhǔn)氫電極)氧化還原電位低的優(yōu)點(diǎn)。

2023-06-14 標(biāo)簽：離子電池電解液 DFT 2226 0

一種快速DFT DRC檢查的功能介紹

在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

2023-03-06 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 2213 0

DFT如何產(chǎn)生PLL 測(cè)試pattern

DFT PLL向量，ATE怎么用？自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）對(duì)PLL（鎖相環(huán)）進(jìn)行測(cè)試時(shí)，我們首先要明白PLL在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）中的重要性。它是SoC...

2023-10-30 標(biāo)簽：芯片測(cè)試 IC 2202 0

超薄羥基化二氧化硅離子篩實(shí)現(xiàn)均勻的鋅離子分布和沉積

水系鋅離子電池(AZIB)由于其低成本、與水性電解質(zhì)兼容以及高理論容量，已被視為鋰離子電池(LIB)的有前途的替代品，尤其是在大規(guī)模電網(wǎng)儲(chǔ)能領(lǐng)域具有巨大的優(yōu)勢(shì)。

2022-12-06 標(biāo)簽：鋰離子電池電解液 DFT 2179 0

解析什么是DFT友好的功能ECO？

DFT是確保芯片在制造過(guò)程中具有可測(cè)試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進(jìn)行ECO時(shí)，不會(huì)破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計(jì)方法。DFT...

2023-05-05 標(biāo)簽：芯片寄存器 DFT 2163 0

混合多功能界面作為人工SEI層實(shí)現(xiàn)無(wú)枝晶、長(zhǎng)壽命的金屬鈉負(fù)極

在循環(huán)過(guò)程中，鈉金屬負(fù)極的鈉枝晶生長(zhǎng)不受控制，SEI形成不穩(wěn)定，導(dǎo)致庫(kù)侖效率差，壽命較短。為了解決這一問(wèn)題，本文研究了一系列鈉離子導(dǎo)電合金型保護(hù)界面(N...

2023-06-29 標(biāo)簽：SEM DFT XRD 2158 0

介紹一種新型的可充電鋅-肼(Zn-Hz)電池

氫(H2)具有高能量密度和零排放污染的優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是傳統(tǒng)化石燃料的理想替代品。電解水是一種不排放二氧化碳、生產(chǎn)高純度H2 (95%)的有效方法。

2022-10-27 標(biāo)簽：充放電 DFT EDS 2149 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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