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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹呢?
存儲作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個細(xì)分之一,一直以來,它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢?
DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 469 0
美光發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAM...
由于全球存儲芯片需求銳減,拖累了2023年全球半導(dǎo)體營收萎縮11%至5330億美元。其中,2023年全球存儲芯片營收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至...
2024-01-19 標(biāo)簽:英特爾DRAMNand flash 395 0
力積電2024年?duì)I收預(yù)期較去年增長,產(chǎn)能利用率有望提升至70%-75%?
力積電近期宣布了銅鑼新廠的進(jìn)展情況,截至目前已有80%的設(shè)備進(jìn)入并進(jìn)行調(diào)試,主要涉及55nm及40nm邏輯產(chǎn)品。同時,公司對2023年資本投入計劃進(jìn)行了...
2024年半導(dǎo)體行業(yè)有望回暖,資本支出與產(chǎn)能利用率提升
TechInsights進(jìn)一步揭示,盡管2024年初的半導(dǎo)體機(jī)件訂單活動和平靜無常,但由于存儲晶片銷售額的增加得以中和全線產(chǎn)品DAO銷售量的下滑,故存儲...
2024-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲產(chǎn)業(yè) 857 0
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng) 537 0
蘋果手表被曝將移除血氧傳感器技術(shù)以規(guī)避美國銷售禁令,消息稱SK海力士無錫工廠升級第四代DRAM
? 【華中科技大學(xué):研發(fā)自粘附壓力傳感器,用于水下目標(biāo)探測】 水下目標(biāo)探測是海洋技術(shù)領(lǐng)域的一個重要課題,涵蓋科學(xué)研究(例如海洋生物學(xué)和環(huán)境監(jiān)測)、工業(yè)(...
SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 430 0
SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術(shù)水平,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 標(biāo)簽:DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 1345 0
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲器芯片市場的97%;自2022年初起,下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲...
2024-01-14 標(biāo)簽:DRAM存儲器半導(dǎo)體芯片 2671 0
SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計劃
盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌,SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星...
2024-01-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子Nand flash 812 0
近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
三星電子轉(zhuǎn)型之路:應(yīng)對挑戰(zhàn),聚焦超級差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲芯片領(lǐng)域趕上競爭對手,計劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進(jìn)芯片,可與硬件配合使...
半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢詳細(xì)報告
2023年上半年全球半導(dǎo)體處于下行周期,但AIGC帶來的新一輪技術(shù)創(chuàng)新引發(fā)需求大幅提升,行業(yè)有望在2024年迎來上行周期。
南亞科存儲芯片營收連續(xù)虧損,第四季度DRAM平均售價環(huán)比增長
2024年,南亞科預(yù)披露將啟動資本開銷約200億元,有待董事會批準(zhǔn)。同時進(jìn)一步釋放消息,計劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)(1B)來生產(chǎn)8Gb D...
1月9日消息,據(jù)外媒報道,三星電子發(fā)布的財報指引顯示,該公司營業(yè)利潤連續(xù)第六個季度下滑,全年?duì)I利同比暴跌84.92%!這一現(xiàn)象反映出全球消費(fèi)電子產(chǎn)品需求...
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