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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

先進(jìn)的清洗技術(shù)如何助力先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)最佳晶圓良率

半導(dǎo)體制造商如今擁有的新設(shè)備可達(dá)到最佳晶圓良率,這種新設(shè)備的兆聲波系統(tǒng)應(yīng)用了空間交變相位移(SAPS)和時(shí)序能激氣穴震蕩(TEBO)技術(shù)。

2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM晶圓 948 0

實(shí)現(xiàn)生成式AI的關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)

實(shí)現(xiàn)生成式AI的另一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是服務(wù)器的主內(nèi)存。這些服務(wù)器用于訪問(wèn)和轉(zhuǎn)換提供給先進(jìn)訓(xùn)練引擎的數(shù)據(jù),在保持訓(xùn)練流程的完整性方面起到了關(guān)鍵作用,而且對(duì)于找出...

2023-08-25 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體技術(shù)AI 798 0

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(B...

2023-08-23 標(biāo)簽:DRAM散熱性能SK海力士 910 0

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽:芯片DRAM英偉達(dá) 1090 0

新型存儲(chǔ)技術(shù)不斷出現(xiàn) ULTRARAM占據(jù)制高點(diǎn)

新型存儲(chǔ)技術(shù)不斷出現(xiàn) ULTRARAM占據(jù)制高點(diǎn)

新型存儲(chǔ)技術(shù)不斷出現(xiàn),這次ULTRARAM占據(jù)了制高點(diǎn)。

2023-08-22 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器RAM 1458 0

預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格第三季度跌幅達(dá)5%超預(yù)期

Hosseini預(yù)測(cè)說(shuō):“半導(dǎo)體制造企業(yè)的存儲(chǔ)芯片庫(kù)存比預(yù)想的要快。庫(kù)存問(wèn)題可能會(huì)持續(xù)到2024年上半年。”他表示:“目前第四季度的供貨價(jià)格比預(yù)想的要差...

2023-08-22 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體制造 871 0

三星電子DRAM市場(chǎng)份額創(chuàng)新低 仍是全球第一

今年上半年,三星電子的旗艦產(chǎn)品,如半導(dǎo)體、智能手機(jī)和電視等,在市場(chǎng)份額方面普遍遭遇下滑。特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心業(yè)務(wù)DRAM方面,盡管三星電子仍然占據(jù)全...

2023-08-18 標(biāo)簽:芯片智能手機(jī)DRAM 2042 0

三星、SK海力士存儲(chǔ)器庫(kù)存破表 牽動(dòng)南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱,去年第四季度在dram領(lǐng)域,三星以45.1%的世界市場(chǎng)占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在...

2023-08-17 標(biāo)簽:閃存DRAMSK海力士 616 0

天璣9300完成LPDDR5T性能驗(yàn)證9.6Gbps,下代旗艦手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)有了

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近日,SK海力士宣布其LPDDR5T移動(dòng)DRAM在聯(lián)發(fā)科下一代的天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)上已成功驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)9.6Gbps的傳輸速率。 其實(shí),早在今年2月S...

2023-08-12 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科DRAMSK海力士 1935 0

西安紫光國(guó)芯新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)

摘要:近日,西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“西安紫光國(guó)芯”)在VLSI?2023技術(shù)與電路研討會(huì)上(2023?Symposium?on?VLS...

2023-08-11 標(biāo)簽:嵌入式DRAM紫光國(guó)芯 1163 0

美光推出CZ120內(nèi)存擴(kuò)展模塊

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣美光 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊...

2023-08-10 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器內(nèi)存 946 0

上云秘笈:NUC980協(xié)同LTE Cat 1模組L610之智能工業(yè)網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)

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2023-08-10 標(biāo)簽:DRAM微處理器新唐 1084 0

韓國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,ICIndustry Development in South Korea

韓國(guó)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)大國(guó),其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國(guó) CDP 的 5%,目前擁有兩萬(wàn)至家企業(yè)支撐著其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。韓國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)起源于20世紀(jì) 60年代,...

2023-08-03 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體DRAM 1942 0

DRAM價(jià)格觸底反彈,專家曝真實(shí)原因

在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi),存儲(chǔ)器市場(chǎng)遭受了來(lái)自PC和智能手機(jī)需求低迷的嚴(yán)重沖擊,導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,整個(gè)行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機(jī)和PC上暫存數(shù)據(jù)的...

2023-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM海力士 1194 0

HBM市場(chǎng)前景樂(lè)觀,將推動(dòng)三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步增長(zhǎng)

 在人工智能(ai)時(shí)代引領(lǐng)世界市場(chǎng)的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個(gè)dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而...

2023-08-03 標(biāo)簽:芯片DRAM人工智能 795 0

存儲(chǔ)芯片廠商持續(xù)減產(chǎn) DRAM價(jià)格止跌

據(jù)日經(jīng)新聞7月31日?qǐng)?bào)導(dǎo),面向智能手機(jī)、PC的消費(fèi)量DRAM價(jià)格已經(jīng)連2個(gè)月呈現(xiàn)持平(價(jià)格未下跌)

2023-08-02 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片Nand flash 465 0

美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)正涌向印度市場(chǎng)

在amd之前,世界第三大存儲(chǔ)器企業(yè)美光、amat等幾家美國(guó)企業(yè)也決定對(duì)印度進(jìn)行新投資。美光科技公司投資8.25億美元,正在印度古吉拉特邦建設(shè)dram和n...

2023-08-02 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器美光科技 760 0

6月份DRAM價(jià)格停止大幅下跌

引言:DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。

2023-08-02 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM存儲(chǔ)器 990 0

三星電子堅(jiān)持下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能,即便市場(chǎng)需求上升

? ? ? 近日有消息稱,三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四發(fā)布的二季度財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì),存儲(chǔ)芯片的需求在下半年將逐漸恢復(fù),但是即便如此,三星電子并沒(méi)有計(jì)劃增加產(chǎn)量,并且...

2023-07-31 標(biāo)簽:DRAMNAND三星電子 546 0

背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開(kāi)發(fā)的技術(shù),例如晶體管GAA(Gate All around)、背面供電以及3D IC。

2023-07-26 標(biāo)簽:DRAM晶體管NAND閃存 3837 0

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    德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月,國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”,這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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