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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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7nm是Intel下一代工藝的重要節點,而且是高性能工藝,其地位堪比現在的14nm工藝,而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝,意義重大。
10月7日,臺積電宣布,其業界首款可商用的極紫外(EUV)光刻技術七納米plus(N7+)將向客戶交付產品。采用EUV技術的N7+工藝建立在臺積電成功的...
臺積電宣布7納米強效版制程已大量進入市場 2020年第一季將試產6納米制程技術
臺積電宣布,其領先業界導入極紫外光(EUV)微影技術的7納米強效版(N7+)制程已協助客戶產品大量進入市場。導入EUV微影技術的N7+奠基于臺積電成功的...
曝Intel已從今年8月份開始訂購用于7nmEUV工藝節點的材料和設備 數據中心GPU或首發
Intel 10nm處理器已經量產發售,明年預計會在市場上井噴,推出桌面CPU等產品。
在談到DRAM技術未來的發展時,平博士首先強調,DRAM是有它的極限的。我們通過改進,可以將極限推遲。如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電...
芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
與過去相比,研究人員現在已經將EUVL作為存儲器關鍵結構的圖形化工藝的一個選項,例如DRAM的柱體結構及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分,IM...
AI、5G應用推動芯片微縮化,要實現5nm、3nm等先進制程,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工制造,半導體設備商遂陸續推出新一代方案。AI、5G應用...
加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設備供應商佳能公司的一位官員警告說,下一代平版印刷術(NGL)面臨著新的障礙,可能會威脅到IC產業轉向低于40納米的芯片制造業。
7月1日,日本政府宣布將韓國移除對外貿易白名單,韓國進口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請,這些材料是生產柔性屏面板...
臺積電時程規劃領先業界并積極備妥產能 三星加速時程緊咬臺積電
臺積電、Samsung與Intel在先進制程發展的競爭關系備受市場矚目。過去先進制程發展除了解決微縮閘極寬度上的困難外,EUV光刻機設備性能也是關鍵影響...
三星表示2020年7nmEUV生產線將如期量產 并計劃再建設另外的7nmEUV工廠
盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令,預計多達857種重要材料對韓國出口都會受到管制影響,此舉可能會影響韓國公司的半導體生產,不過三星似乎并沒有因此停止...
三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產 4nm4LPE也會在年內設計完畢
除了臺積電,三星如今在工藝方面也是十分激進:7nm 7LPP去年十月投產之后,按照官方最新給出的時間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產,5n...
盡管日韓貿易沖突持續延燒,三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時預料將展示自家先進制程技術,并提供用于生產3納米以下芯片,名為「環...
尋找光阻劑替代供應商難度很高,就算找到新供應來源,所有制程和設計須重新測試,至少得花1年時間才能運作。
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