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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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euv極紫外光刻機是目前最先進的半導體制造設備,用于7納米以下工程的半導體制造。荷蘭對這種尖端設備實施出口控制,限制對中國的出口。據《日本經濟新聞》報道...
來源:國芯網,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 5月22日消息,據外媒報道,臺積電從ASML購買的EUV極紫外光刻機,暗藏后門,可以在必要的時候執行遠程...
半導體和顯示材料開發商石墨烯實驗室于11月14日宣布,其已開發出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜(pellicles)的技術,并已準備好量產新型薄膜。
臺積電魏哲家與ASML高層會面,是否有意購買高數值孔徑極紫外光機臺?
此前,該公司首席執行官魏哲家曾明確表示,過早引入High-NA EUV并無太大經濟效益,直到日前其秘密訪問ASML總部,使市場猜測臺積電是否因此事發生重大轉變。
來源:半導體行業觀察,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 隨著英特爾、三星、臺積電以及日本即將落成的先進晶圓代工廠 Rapidus盡管各家公司都各自準備將...
ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息,光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝,新機型將帶來更高的生產效...
隨著半導體制造工藝節點不斷發展至100納米甚至更小的10納米級別,如何制作出尺寸精度高、表面特征優秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業面臨的挑戰。
蔡司作為ASML EUV光刻機光學系統唯一供應商,其提供的三萬余個組件構成了每臺EUV光刻機的核心部分,同時在EUV光刻技術領域持有超過2000項關鍵專利。
ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機,將芯片密度限制再縮小
ASML再度宣布新光刻機計劃。據報道,ASML預計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(EUV),將縮小最高電晶體密度芯片的設計限制。 ASML前...
據asml公布的財務報告顯示,第二季度凈銷售額為69億歐元,總利潤率為51.3%,凈利潤為19億歐元。asml首席執行官peter wennink表示:...
臺積電的2nm技術是3nm技術的延續。一直以來,臺積電堅定地遵循著每一步一個工藝節點的演進策略,穩扎穩打,不斷突破。
Aston 過程質譜應用于 EUV 極紫外光源鹵化錫原位定量
上海伯東日本 Atonarp Aston? 過程質譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數據實現了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston?...
IBM、美光、應用材料、東京電子宣布合作建設 High-NA EUV 研發中心
12 月 12 日消息,今天早些時候,紐約州長凱西?霍楚爾(Kathy Hochul )宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子(東京威力科創)等半導體...
ASML總經理George Gomba表示:“在這里,勞動力也將會增加?!眊omba表示,從2022年初開始增加了600名職員。該公司目前在首都地區擁有...
Dai Nippon Printing Co., Ltd.(DNP)近期在半導體制造技術領域取得了重大突破,成功實現了適用于超2nm(納米,即10^-9...
ASML總裁兼CEO傅恪禮近日在接受外媒采訪時指出,盡管西方國家正在積極增加芯片生產,但亞洲在芯片行業中的主導地位不太可能發生改變。
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