日本首次批準(zhǔn)向韓國(guó)出口EUV光刻膠

7月1日，日本政府宣布將韓國(guó)移除對(duì)外貿(mào)易白名單，韓國(guó)進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請(qǐng)，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板...

2019-08-11 標(biāo)簽：三星電子EUV光刻膠 3685 0

三星電子向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時(shí)間挑戰(zhàn)臺(tái)積電世界首位的寶座

境外媒體報(bào)道稱，韓國(guó)三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費(fèi)巨額投資，確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)“EUV（極紫外光刻）”的量產(chǎn)體制，用1...

2019-11-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電三星電子EUV 3676 0

EUV光刻工藝終于商業(yè)化 新一代EUV光刻工藝正在籌備

隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多...

2018-10-30 標(biāo)簽：光刻EUV 3670 0

臺(tái)積電預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)7納米，將會(huì)是第一家采用EUV量產(chǎn)的晶圓代工業(yè)者

以應(yīng)用來(lái)看，盡管手機(jī)需求衰退第二季臺(tái)積電營(yíng)收最大宗仍來(lái)自通訊領(lǐng)域，貢獻(xiàn)為48%，其次為工業(yè)(23%)、電腦(21%)與消費(fèi)性電子(8%)。

2018-07-27 標(biāo)簽：臺(tái)積電納米euv 3669 0

三星Exynos 1080處理器 5nm EUV FinFET工藝制造

蘋果A14仿生芯片拉動(dòng)手機(jī)芯片正式跨入了5nm時(shí)代。三星不甘人后，今天發(fā)布的三星Exynos 1080處理器，采用了5nm制程工藝，在性能和功耗控制等方...

2020-11-12 標(biāo)簽：三星電子EUV5nm 3669 0

DRAM開始進(jìn)入EUV時(shí)代？

根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo)，曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價(jià)格直直落，短期看不到止跌訊號(hào)的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開始...

2019-06-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM三星電子 3597 0

英特爾又一次處分艾司摩爾股票 持股比率降至3%以內(nèi)

當(dāng)年為了摩爾定律（Moore’s law）的延續(xù)，讓半導(dǎo)體先進(jìn)制程可以繼續(xù)發(fā)展下去，在荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商艾司摩爾（ASML）發(fā)展光刻設(shè)備不順利，缺發(fā)資金之...

2018-10-15 標(biāo)簽：英特爾三星電子EUV 3575 0

ASML元件供應(yīng)商Prodrive工廠發(fā)生火災(zāi) 出貨時(shí)間將遭遞延

2018-12-04 標(biāo)簽：EUVASML 3573 0

EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)

推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來(lái)15...

2017-01-22 標(biāo)簽：摩爾定律EUVEUV光刻機(jī) 3563 0

臺(tái)積電客戶訂單最多，將在2024年量產(chǎn)2nm工藝

隨著高通驍龍865使用臺(tái)積電N7+工藝量產(chǎn)，臺(tái)積電的7nm工藝又多了一個(gè)大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過(guò)整體來(lái)看臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)...

2019-12-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電euv 3561 0

2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)仍有成長(zhǎng)表現(xiàn)

受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)影響，2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑，占比超過(guò)3成的硅晶圓影響頗為嚴(yán)重，雖然硅晶圓在長(zhǎng)約價(jià)格上變動(dòng)不大，但現(xiàn)貨價(jià)格下跌與晶圓...

2019-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV 3559 0

三星或從2019年6月份開始量產(chǎn)7納米EUV制程

在 7 納米制程節(jié)點(diǎn)上，雖然三星宣稱時(shí)程上領(lǐng)先臺(tái)積電，而且選擇直接進(jìn)入 EUV 技術(shù)時(shí)代，不過(guò)實(shí)際進(jìn)度卻非如此，也使得之前自家的 Exynos 9820...

2019-04-12 標(biāo)簽：三星電子EUV 3551 0

臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表

持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC），于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個(gè)采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓finfet 3544 0

三星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021年量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊，全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將...

2019-01-14 標(biāo)簽：三星電子EUV 3532 0

3D傳感需求強(qiáng)勁 II-VIQ4營(yíng)收創(chuàng)歷史新高

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，II-VI公司首次實(shí)現(xiàn)年銷售額突破10億美元，并且在其主要市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在近階段繼續(xù)保持這種增長(zhǎng)勢(shì)頭。

2018-08-13 標(biāo)簽：EUV3D傳感 3530 0

中芯國(guó)際EUV光刻機(jī)談判在即?

2021-01-04 標(biāo)簽：芯片中芯國(guó)際三星電子 3525 0

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨，3nm GAE工藝也將研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電euv 3515 0

EUV極紫外光時(shí)代步伐漸近 或?qū)⒂瓉?lái)250瓦EUV光源

盡管所花的時(shí)間與成本幾乎比所有人預(yù)期得要多，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影技術(shù)的大量生產(chǎn)──在...

2018-06-10 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 3498 0

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開始進(jìn)入10納米時(shí)代，預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6...

2019-05-14 標(biāo)簽：處理器英特爾EUV 3492 0