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fet

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。

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fet技術(shù)

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...

2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 421 0

TPS482H85-Q1 汽車級(jí) 48V、85mΩ 雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS4H82H85-Q1 器件是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),帶有兩個(gè)集成的 85mΩ NMOS 功率 FET,適用于 24V 和 48V 汽車電源...

2025-05-06 標(biāo)簽:NMOSFET電源系統(tǒng) 419 0

應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器

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LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...

2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 418 0

技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)

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LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 414 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

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LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 413 0

LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)概述

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LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 409 0

TPS40200 寬輸入非同步降壓 DC/DC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS40200 是一款靈活的非同步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器,用于 P 溝道 FET。該電路在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有可轉(zhuǎn)動(dòng) 一旦外部...

2025-04-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET基準(zhǔn)電壓源 408 0

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

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LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...

2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 408 0

OPA814 600MHz、高精度、單位增益穩(wěn)定、FET輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

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2025-03-24 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電壓反饋FET 397 0

SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

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從人類的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...

2023-02-17 標(biāo)簽:FETSiCGaN 396 0

OPA817 800MHz、高精度、單位增益穩(wěn)定、FET輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

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OPA817 是一款單位增益穩(wěn)定的電壓反饋運(yùn)算放大器、適用于高速、高精度和寬動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用。

2025-03-26 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器高精度FET 392 0

技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

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2025-02-24 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETqfn 378 0

LM3488 用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的 2.97V 至 40V 寬輸入電壓低側(cè) N 溝道控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM3488 是一款用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件適用于需要低側(cè) FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如升壓、反激式或 SEPIC。此外...

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OPA858-Q1 具有FET輸入的汽車類、 5.5GHz增益帶寬、解補(bǔ)償跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)

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UC3856 是廣受歡迎的 UC3846 系列電流模式控制器的高性能版本,適用于設(shè)計(jì)升級(jí)和注重速度和精度的新應(yīng)用。所有輸入到輸出的延遲都已最小化,并且電...

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2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 341 0

TPS59640 雙通道 SVID,D-CAP+;用于 IMVP-7 Vcore 的降壓工業(yè)級(jí)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS51640A、TPS59640 和 TPS59641 是雙通道,完全符合 SVID 標(biāo)準(zhǔn) IMVP-7 帶兩個(gè)集成柵極驅(qū)動(dòng)器的降壓控制器。高級(jí)控制...

2025-03-27 標(biāo)簽:gpu降壓控制器FET 331 0

TPS40210-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4.5V 至 52V 輸入電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-03-24 標(biāo)簽:LED可編程FET 330 0

TPS2595 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 電子保險(xiǎn)絲,具有過(guò)壓保護(hù)功能,采用小型 WSON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPS2595xx 系列電子保險(xiǎn)絲(集成 FET 熱插拔器件)是一款采用小型封裝的高度集成電路保護(hù)和電源管理解決方案。這些器件使用極少的外部元件即可提供...

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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