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標(biāo)簽 > fet
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 421 0
TPS482H85-Q1 汽車級(jí) 48V、85mΩ 雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS4H82H85-Q1 器件是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開(kāi)關(guān),帶有兩個(gè)集成的 85mΩ NMOS 功率 FET,適用于 24V 和 48V 汽車電源...
2025-05-06 標(biāo)簽:NMOSFET電源系統(tǒng) 419 0
應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 418 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 414 0
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 413 0
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 409 0
TPS40200 寬輸入非同步降壓 DC/DC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40200 是一款靈活的非同步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器,用于 P 溝道 FET。該電路在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有可轉(zhuǎn)動(dòng) 一旦外部...
2025-04-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET基準(zhǔn)電壓源 408 0
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 408 0
OPA814 600MHz、高精度、單位增益穩(wěn)定、FET輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA814 是一款單位增益穩(wěn)定的電壓反饋運(yùn)算放大器,適用于高速、高精度和寬動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用。
2025-03-24 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電壓反饋FET 397 0
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
OPA817 800MHz、高精度、單位增益穩(wěn)定、FET輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA817 是一款單位增益穩(wěn)定的電壓反饋運(yùn)算放大器、適用于高速、高精度和寬動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用。
2025-03-26 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器高精度FET 392 0
技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG2650 是一個(gè) 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、...
2025-02-24 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETqfn 378 0
LM3488 用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的 2.97V 至 40V 寬輸入電壓低側(cè) N 溝道控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM3488 是一款用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件適用于需要低側(cè) FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如升壓、反激式或 SEPIC。此外...
2025-04-07 標(biāo)簽:控制器電阻器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 373 0
OPA858-Q1 具有FET輸入的汽車類、 5.5GHz增益帶寬、解補(bǔ)償跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA858-Q1 是一款具有 CMOS 輸入的寬帶低噪聲運(yùn)算放大器,適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。將該器件配置為跨阻放大器 (TIA) 時(shí),5.5G...
LMG3624EVM-081評(píng)估模塊:用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸 (PD...
2025-02-21 標(biāo)簽:適配器反激式轉(zhuǎn)換器FET 362 0
UC3856系列 40V,1.5A 電流模式 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC3856 是廣受歡迎的 UC3846 系列電流模式控制器的高性能版本,適用于設(shè)計(jì)升級(jí)和注重速度和精度的新應(yīng)用。所有輸入到輸出的延遲都已最小化,并且電...
LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 341 0
TPS59640 雙通道 SVID,D-CAP+;用于 IMVP-7 Vcore 的降壓工業(yè)級(jí)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51640A、TPS59640 和 TPS59641 是雙通道,完全符合 SVID 標(biāo)準(zhǔn) IMVP-7 帶兩個(gè)集成柵極驅(qū)動(dòng)器的降壓控制器。高級(jí)控制...
TPS40210-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4.5V 至 52V 輸入電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40210-EP 是一款寬輸入電壓(4.5 至 52 V)異步升壓控制器。 該器件適用于需要接地源極 N 溝道 FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括 升壓、反...
TPS2595 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 電子保險(xiǎn)絲,具有過(guò)壓保護(hù)功能,采用小型 WSON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2595xx 系列電子保險(xiǎn)絲(集成 FET 熱插拔器件)是一款采用小型封裝的高度集成電路保護(hù)和電源管理解決方案。這些器件使用極少的外部元件即可提供...
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