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標(biāo)簽 > fet
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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FET是Field effect transistor的縮寫,稱為場效應(yīng)管。它是晶體管的一種,也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它...
2023-05-25 標(biāo)簽:放大電路場效應(yīng)管晶體管 6386 0
射頻開關(guān)(RF Switch)學(xué)習(xí)筆記
基本的串聯(lián)、并聯(lián)和FET開關(guān)可以簡單圖示,PIN二極管和肖特基(Schottky)二極管都可以用作開關(guān)。通過改變二極管的正反偏置條件可以實現(xiàn)二極管開關(guān)電...
由于存在物理學(xué)定律,電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對此無能為力,所以自熱離子真空管問世以來,電子設(shè)計人員就學(xué)會了通過開發(fā)巧妙的電路拓撲來解決這些問題。
場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場效應(yīng)...
討論MOSFET數(shù)據(jù)表中顯示的安全工作區(qū)域區(qū)域SOA
如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。
當(dāng)現(xiàn)成的運算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號擺幅范圍時,工程師面臨兩種選擇:使用高壓運算放大器或設(shè)計分立解決方案,不過這兩種選擇的成本可...
面對社會和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競爭力的解決方案
隨著電動汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費者和行業(yè)的需求,越來越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對技術(shù)提出了更高的要求。
開始使用Power Stage Designer的13個理由
十多年來,德州儀器 (TI) 的 Power Stage Designer? 工具一直是一款出色的設(shè)計工具,可協(xié)助電氣工程師計算不同電源拓撲的電流和電壓...
60V低IQ、雙輸出同步降壓控制器,具有可調(diào)柵極驅(qū)動
LTC?3892 是一款雙輸出同步降壓型控制器,具有一個 4.5V 至 60V 的寬輸入電壓范圍和一個 0.8V 至 99% V 的輸出電壓在.LTC3...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:開關(guān)參數(shù)
另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個完全不同的限制條件來繪制整個SOA,每個限制條件規(guī)定了整個曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
電子熔絲與熱插拔控制器之間的主要區(qū)別是熱插拔是一種能夠驅(qū)動外部FET的控制器(如圖1所示)。FET通過熱插拔控制器中的控制邏輯進行開啟和關(guān)閉,以調(diào)節(jié)負載...
首先,我們必須更好地理解電池充電器功能:動態(tài)電源管理(DPM)和動態(tài)電源路徑管理(DPPM)。這兩個功能與充電拓撲結(jié)構(gòu)密切相關(guān),同樣重要。不同的拓撲結(jié)構(gòu)...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSF...
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