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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結)。
在任何電力電子轉換器中,熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后,工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LM...
比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低,SiC MOSFET似乎占據了優勢,但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比,...
高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。
一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器
這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅(Si)襯底以及覆蓋其上的二氧化硅(SiO2)介電層組成的p型硅片(Si/SiO2)制備。
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計...
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態和導通導致的組件功耗以及電流應力水平;甚至可以指定并聯器件、多個轉換器“支路”和外部散熱片性能,以便預測結溫。
CMOS技術是無數現代電子產品、儀器和計算工具的大腦。60多年來,CMOS技術在性能、能效和單位功能成本方面持續增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
FET 恒流源使用 JFET 和 MOSFET 來提供負載電流,盡管負載電阻或電源電壓發生變化,但仍保持恒定。
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