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      標簽　>　GaN器件

      GaN器件

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      gan器件技術

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      2023-07-11 標簽：半導體驅動芯片CMOS反相器 6881 0

      基于GaN器件的驅動設計方案

      基于GaN器件的驅動設計方案

      氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集...

      2019-11-18 標簽：通信接口驅動設計GaN器件 6231 0

      深度探討GaN器件驅動電路并聯晶體管設計方案

      深度探討GaN器件驅動電路并聯晶體管設計方案

      在柵極關斷時，CGS和Con中的電荷將快速達到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩態的電荷差使柵極電壓VG變為負值，從而在硬開關應用中關斷晶體管。

      2021-01-20 標簽：晶體管GaN器件硅晶體管 5589 0

      GaN在射頻（RF）前端中的應用分析

      GaN在射頻（RF）前端中的應用分析

      對于工程師來說，設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產品數據手冊 ；第二部就是查看 S 參數。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數據...

      2022-06-07 標簽：GaNGaN器件 5545 0

      AIGC可編輯的圖像生成方案

      ControlNet給出的實驗結果實在是過于驚艷了，近期視覺領域最讓人興奮的工作。

      2023-03-03 標簽：ClipGaN器件OpenAI 4061 0

      硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉換

      隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。

      2020-11-19 標簽：MOSFET晶體管氮化鎵 3305 0

      為什么GaN FET是LLC轉換器設計的最佳選擇

      氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉換應用的系統成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET...

      2021-03-31 標簽：發動機混合動力車LLC轉換器 3228 0

      全電飛機航空電子系統的設計方案解析

      SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構，帶來了諸多優勢：首先，“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

      2023-01-10 標簽：電機驅動SiC碳化硅 2964 0

      探索寬帶隙WBG半導體的基礎知識和應用

      不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅動要求，這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰之一。

      2022-11-10 標簽：CGDdcdc轉換器GaN器件 2847 0

      如何提高碳化硅器件的效率

      如何提高碳化硅器件的效率

      高效率當然是一個優點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

      2022-03-31 標簽：碳化硅GaN器件SiCMOSFET 1922 0

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      gan器件帖子

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      gan器件資訊

      蕪湖第三代半導體工程中心SiC和GaN器件產線全面貫通

      蕪湖第三代半導體工程中心自2017年6月啟動建設。啟迪新材料集團和蕪湖市建設投資有限公司通力合作，在蕪湖市委、市政府和高新區管委會以及發改委、科技局、經...

      2020-10-09 標簽：半導體SiCGaN器件 5161 0

      垂直GaN 器件：電力電子的下一個層次

      垂直GaN 器件：電力電子的下一個層次

      NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN...

      2022-07-27 標簽：電容電力電子功率器件 5019 0

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      DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...

      2022-06-21 標簽：氮化鎵GaNGaN器件 3416 0

      全球SiC和GaN功率器件市場規模將達到56.436億美元

      第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...

      2021-12-23 標簽：半導體功率器件GaN器件 2905 0

      西電郝躍院士團隊實現硅與GaN器件的晶圓級單片異質集成

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      氮化鎵高功率器件在電力電子領域中受到越來越多的關注，在汽車電子、機電控制、光伏產業和各類電源系統中得到越來越多的應用。電力電子器件更加需要常關態增強型氮...

      2020-09-02 標簽：晶圓級半導體器件GaN器件 2821 0

      淺談GaN器件與數據中心的關系

      GaN器件用于從交流到直流的功率轉換，然后用于轉換負載的直流電壓，可以將Si器件的整體效率從77%提高到接近84%，如圖3所示。根據一級數據中心運營商G...

      2018-08-25 標簽：物聯網數據中心gan器件 1981 0

      納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進入快充市場

      氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以...

      2022-05-05 標簽：氮化鎵功率芯片GaN器件 1870 0

      大聯大世平集團推出基于ON Semiconductor產品的小型工業電源供應器方案

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      GaN驅動器對性能至關重要，驅動器使驅動電壓保持在電壓最大限值內并不是唯一的要求。

      2021-06-16 標簽：氮化鎵工業電源ON Semiconductor 1655 0

      SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業

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      思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案，也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基，SiC，GaN器件的創新應用潛力。

      2021-11-10 標簽：MOSFET充電器半導體產業 1350 0

      面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發展趨勢

      面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發展趨勢

      近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

      2023-12-26 標簽：電動汽車逆變器晶體管 1221 0

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      gan器件數據手冊

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        LT8705
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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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