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本文聊一下GaN芯片的制備工藝。 GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
氮化鎵(GaN),作為時下新興的半導體工藝技術,提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比,GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍,廣泛應用于功率因數...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢,但同時也存在一些缺...
LED是一種半導體,通電即會發光。憑借其高效率、長壽命和其他突出的特點,成為LCD液晶顯示模組的核心材料,為LCD的背光模組提供足夠的光源;
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3...
除了導致更高的輸出頻率范圍外,對于地面雷達來說,這是一個關鍵的設計考慮因素,地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列(AESA)技術,以在更小的封裝中封裝...
這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統基礎設施研究開發項目”的成果。2020年6月,NEDO發布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學儲存系統、高頻與大功率之微波電子元件等商業用途。然而...
隨著半導體化合物持續發展,相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體,第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優點。以SiC和G...
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優點。與傳統的硅基MOSFET相比...
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