IC集成支持平板相控陣天線設計

高度集成的射頻收發器芯片有助于提高天線級的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個例子。它提供雙發射器和接收器、集成合成器和數字信號處理功能。該器件包...

2022-12-19 標簽：adc微波GaN 2115 0

絕緣柵Si基GaN平面器件關鍵工藝

傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高...

2023-04-29 標簽：功率器件GaN金屬 2102 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關

【導讀】眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰性。如果處理不當，可能會導致...

2022-08-29 標簽：功率放大器電源開關GaN 2065 0

絕緣柵GaN基平面功率開關器件技術

GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...

2023-04-29 標簽：功率器件GaN開關器件 2026 0

開關管的驅動器及驅動電路設計

電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅動型器件，不同類型器件的驅動電路也不完全相同

2023-10-16 標簽：MOSFET驅動器變換器 2006 0

GaN和SiC晶體管的區別

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發生變化。已經開發出由兩種或三種材料制成的化合物半導體，并具有獨特的優勢和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標簽：晶體管SiCGaN 2004 0

使用GaN設計高功率器件

從 70 年代下半葉開始，電源管理應用的主導技術是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而，隨著...

2022-08-09 標簽：晶體管功率器件GaN 1999 0

如何在缺陷樣本少的情況下實現高精度的檢測

導 讀 缺陷檢測是工業生產過程中的關鍵環節，其檢測結果的好壞直接影響著產品的質量。而在現實場景中，但產品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

2023-06-26 標簽：軟件GaN生成器 1994 0

針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如Al...

2023-12-13 標簽：蝕刻GaN離子 1993 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 1990 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 1988 0

如何設置、設計及正確地驅動GaN功率級

您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用H...

2023-04-14 標簽：微控制器GaN 1973 0

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...

2023-03-27 標簽：驅動器GaNPCB 1955 0

基于微納結構的MEMS熱輻射紅外光源技術原理

一些光柵結構也實現了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個極化方向產生相干的熱發射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結構示意圖及光譜發射圖。

2023-12-28 標簽：mems發射器氣體傳感器 1915 0